IXYS MOSFETs

Rezultatai: 1 579
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
IXYS MOSFETs 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-220
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
300Tikėtina 2026-02-23
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 30 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 230A 200V
Duomenų Lapas
931Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 230 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 358 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube


IXYS MOSFETs ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT
Duomenų Lapas
366Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.7 kV 2 A 20 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 220 W Enhancement ISOPLUS i5-PAC Tube
IXYS MOSFETs PLUS247 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT
Duomenų Lapas
273Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 1.4 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 88 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs MOSFET N CHANNEL
Duomenų Lapas
2 990Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Duomenų Lapas
736Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
Duomenų Lapas
8 999Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
Duomenų Lapas
939Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds
Duomenų Lapas
1 536Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 500 V 64 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET
Duomenų Lapas
1 148Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
Duomenų Lapas
2 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A
Duomenų Lapas
3 381Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 400 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 420 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Rds
Duomenų Lapas
3 278Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Duomenų Lapas
1 552Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
3 552Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
Duomenų Lapas
21 714Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
Duomenų Lapas
4 434Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TenchP Power MOSFET
Duomenų Lapas
2 850Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 200 V 32 A 130 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs Standard Linear Power MOSFETs
Duomenų Lapas
2 991Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 80 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 180 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Linear Tube
IXYS MOSFETs ISOPLUS N-CH 75V 120A
Duomenų Lapas
2 304Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 5.8 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Duomenų Lapas
2 347Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 97 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA
Duomenų Lapas
307Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 2.5 kV 1.5 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
Duomenų Lapas
267Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 1000V 32A TO-247 Power MOSFET
Duomenų Lapas
504Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Duomenų Lapas
186Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 40 V 600 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 590 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube