IXTK600N04T2

IXYS
747-IXTK600N04T2
IXTK600N04T2

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie IXYS IXTK600N04T2

Prieinamumas: 186

Turime sandėlyje:
186 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
25 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
21,68 € 21,68 €
17,73 € 177,30 €
15,67 € 1 567,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
IXYS
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
1 Channel
40 V
600 A
1.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
590 nC
- 55 C
+ 175 C
1.25 kW
Enhancement
HiPerFET
Tube
Prekės Ženklas: IXYS
Configuration: Single
Rudens laikas: 250 ns
Tiesioginis laidumas - min: 90 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 20 ns
Serija: IXTK600N04
Gamyklinės pakuotės kiekis: 25
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 90 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 40 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Vieneto Svoris: 10 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A  (TC=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.