1200V C4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V C4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in hard-switched applications. The C4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, thereby expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The C4MS family provides improved Eon, ERR, and Eoff losses compared to the C3M family of devices, while maintaining a low RDS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of both hard-switched and soft-switched topologies.

Rezultatai: 16
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
Reel: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 94 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 429 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 366 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 366 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2), Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
Reel: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 94 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 455 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
Reel: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 340 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 450
Daugkart.: 450
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2), Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
Reel: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 36 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 357 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,47mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
Reel: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 47 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 280 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 50 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 241 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 50 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 241 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,47mohm,1200V, TSC (U2), Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
Reel: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 47 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,65mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
Reel: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 65 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 211 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 65 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 182 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 450
Daugkart.: 450
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 65 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 182 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,65mohm,1200V, TSC (U2), Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
Reel: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 42 A 65 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 215 W Enhancement