UltraCMOS Serija Radijo dažnio ir bevielio ryšio komponentai

Radijo dažnio ir tipai bevielio ryšio komponentai

Pakeisti kategorijos rodinį
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SPDT, Low IL, Reflective, 50ohm RF Switch 4 116Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000


pSemi RD kūrimo priemonės Monolithic Phase and Amplitude Controller 3.4-3.8 GHz Eval. Board 4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SPDT, DOCSIS3.X, Reflective RF Switch 1 938Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

pSemi RD kūrimo priemonės DTC Eval Kit with Eval. Board, Cable & USB Interface Board 8Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

pSemi RD kūrimo priemonės SPDT, High Iso, Reflective, 50ohm RF Switch Eval. Board 4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

pSemi 4257-00
pSemi RD kūrimo priemonės SPDT, High Iso, Absorptive, 50ohm RF Switch Eval. Board 2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

pSemi EK4245-01
pSemi RD kūrimo priemonės SPDT, Low IL, Reflective, 50ohm RF Switch Eval. Board 1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
pSemi EK42851-04
pSemi RD kūrimo priemonės Evaluation Board 1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SPDT, 26.5 GHz, Absorptive, 50? Instrumentation Switch 1 360Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP4T, 18 GHz, Fast Switching, Absorptive, 50ohm Instrumentation Switch 1 305Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

pSemi PE42522C-X
pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SPDT, 26.5 GHz, Absorptive, 50ohm Instrumentation Switch 1 499Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500
pSemi RD maišiklis High-Linearity MOSFET Quad 8 692Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP12T, Absorptive, 50ohm RF Switch, w/o ext. Vss 25 467Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP4T, High Iso, Absorptive, 50ohm RF Switch, w/o ext. Vss 8 994Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP6T, Absorptive, 50ohm RF Switch, w/o ext. Vss 13 945Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP8T, Absorptive, 50ohm RF Switch, w/o ext. Vss 6 167Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai Instrumentation Switch 12 223Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP8T, Absorptive, 50ohm Instrumentation Switch 8 074Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP6T, -55 to +125 (degree)C, Absorptive, 50ohm RF Switch, w/o ext. Vss 6 968Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-10-09
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP5T, High Power, Reflective, 50ohm RF Switch 1 861Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

pSemi Ateniuatoriai UltraCMOS RF Digital Step Attenuator, 9 kHz-13 GHz 1 717Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

pSemi Ateniuatoriai ext. Vss 4 716Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP4T, Open Reflective, Tuning Switch 16 871Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

pSemi RD kūrimo priemonės 8-bit 1.7-2.2 GHz RF Digital Phase Shifter Eval. Board 20Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai AEC-Q100 Certified SPDT, Low IL, Reflective, 50ohm RF Switch 4 946Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000