UltraCMOS Serija RD integriniai grandynai

Rezultatai: 88
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SPDT, 26.5 GHz, Absorptive, 50? Instrumentation Switch 1 537Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP4T, Open Reflective, Tuning Switch 25 881Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SPDT, DOCSIS3.X, Reflective RF Switch 1 938Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SPDT, 60GHz, Low IL, Reflective, Flip Chip Die 305Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

pSemi PE42522C-X
pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SPDT, 26.5 GHz, Absorptive, 50ohm Instrumentation Switch 1 651Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500
pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP4T, 18 GHz, Fast Switching, Absorptive, 50ohm Instrumentation Switch 164Prieinamumas
2 500Tikėtina 2026-07-31
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP12T, Absorptive, 50ohm RF Switch, w/o ext. Vss 29 933Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SPDT, High Iso, Absorptive, 50ohm RF Switch 8 680Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SPDT, Reflective, 50ohm WiFi RF Switch 38 374Prieinamumas
39 000Tikėtina 2026-09-25
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP4T, High Iso, Absorptive, 50ohm RF Switch, w/o ext. Vss 3 723Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP6T, Absorptive, 50ohm RF Switch, w/o ext. Vss 14 781Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP8T, Absorptive, 50ohm RF Switch, w/o ext. Vss 12 483Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai Instrumentation Switch 5 936Prieinamumas
8 755Tikėtina 2026-08-05
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SPDT, High Iso, High Power, Absorptive, 50ohm Instrumentation Switch 5 669Prieinamumas
21 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP6T, Absorptive, 50ohm Instrumentation Switch 6 060Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP8T, Absorptive, 50ohm Instrumentation Switch 8 984Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP6T, -55 to +125 (degree)C, Absorptive, 50ohm RF Switch, w/o ext. Vss 7 024Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-10-09
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SP5T, High Power, Reflective, 50ohm RF Switch 671Prieinamumas
1 500Tikėtina 2026-08-17
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

pSemi RD maišiklis High-Linearity MOSFET Quad 3 988Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SPDT, TruDC , Absorptive, 50ohm RF Switch 371Prieinamumas
500Tikėtina 2026-12-21
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai AEC-Q100 Certified SPDT, Low IL, Reflective, 50ohm RF Switch 5 672Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

pSemi RD jungiklių integriniai grandynai AEC-Q100 Certified SPDT, Low IL, Reflective, 50ohm RF Switch 5 885Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000


pSemi RD jungiklių integriniai grandynai AEC-Q100 Certified SP4T, Low IL, Reflective, 50ohm RF Switch 7 537Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SPDT, Low IL, Reflective, 50ohm RF Switch 5 356Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

pSemi RD jungiklių integriniai grandynai SPDT, Low IL, Reflective, 50ohm RF Switch 5 308Prieinamumas
33 000Tikėtina 2026-12-04
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000