Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Rezultatai: 49
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Renesas Electronics GaN FET 700V, 240mohm GaN FET in DPAK
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3L N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 312 mOhms 20 V 2.5 V 5.4 ns - 55 C + 150 C 31.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
: 5 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
: 3 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 312 mOhms 20 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W Enhancement SuperGan
Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
: 5 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
: 5 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in DPAK
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3L N-Channel 1 Channel 700 V 5 A 560 mOhms 20 V 2.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhanecement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.2 A 180 mOhms 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 312 mOhms 20 V 2 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 31.5 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 85mohm GaN FET in TOLL Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000
: 2 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 180 mOhms 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in TO220
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PLSGB-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
: 3 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H070G4LSGBA-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
: 3 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H030G4PYS
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-4L Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 960
Daugkart.: 240

TO-247-4L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PQS-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLL Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000
: 2 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PRS-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLT Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 1 300
Daugkart.: 1 300
: 1 300

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PWS
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 960
Daugkart.: 240

TO-247-3L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PYS
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 960
Daugkart.: 240

TO-247-4L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PLSG-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
: 3 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PPS
Renesas Electronics GaN FET 650V, 65mohm GaN FET in TO-220 Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 1 250
Daugkart.: 1 250

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PQS-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 65mohm GaN FET in TOLL Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000
: 2 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PRS-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 65mohm GaN FET in TOLT Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 1 300
Daugkart.: 1 300
: 1 300

650 V SuperGaN