{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 49

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Tranzistoriaus poliškumas

Kanalų skaičius

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Minimali darbinė temperatūra

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Kanalas Mode

Prekinis pavadinimas

Technologijos

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Tranzistoriaus poliškumas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Prekinis pavadinimas	Technologijos
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGB-TR Renesas Electronics 1: 7,19 € 2 446Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TP65H070G4LSGB-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H070G4LSGBTR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics transphorm tp65h150bg4jsg gan fet	Duomenų Lapas	2 446Prieinamumas	Pjaunama Juosta 7,19 € 3,90 € 3,58 € 3,50 € 3,21 € Ritė 2,98 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP65H480G4JSG-TR Renesas Electronics 1: 1,87 € 1 475Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TP65H480G4JSG-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H480G4JSG-TR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Duomenų Lapas	1 475Prieinamumas	Pjaunama Juosta 1,87 € 0,903 € 0,762 € 0,638 € Ritė 0,506 € Peržiūrėti 0,636 € 0,603 € 0,481 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 4 000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	560 mOhms	- 18 V, + 18 V	2.8 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	13.2 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics 1: 9,16 € 1 144Prieinamumas 2 600Tikėtina 2027-04-26 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. TP65H030G4PRS-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H030G4PRS-TR Naujas Produktas	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Duomenų Lapas	1 144Prieinamumas 2 600Tikėtina 2027-04-26	Pjaunama Juosta 9,16 € 5,08 € 4,82 € Ritė 4,20 € 4,10 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L TP65H030G4PWS Renesas Electronics 1: 9,56 € 1 036Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. TP65H030G4PWS „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H030G4PWS Naujas Produktas	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Duomenų Lapas	1 036Prieinamumas	9,56 € 5,32 € 4,93 € 4,28 € 4,21 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL TP65H030G4PQS-TR Renesas Electronics 1: 9,11 € 209Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. TP65H030G4PQS-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H030G4PQS-TR Naujas Produktas	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Duomenų Lapas	209Prieinamumas	Pjaunama Juosta 9,11 € 6,06 € 5,37 € 4,71 € 4,21 € Ritė 4,06 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	SMD/SMT	TOLL-10	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms		4.8 V	24.5 nC	- 55C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L TP65H050G4YS Renesas Electronics 1: 8,99 € 529Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TP65H050G4YS „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H050G4YS	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics transphorm tp65h050g4ys supergan fet	Duomenų Lapas	529Prieinamumas	8,99 € 5,31 € 4,51 € 3,99 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	35 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TO220 TP65H070G4PS Renesas Electronics 1: 7,07 € 673Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TP65H070G4PS „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H070G4PS	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TO220 Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics transphorm tp65h070g4ps gan fet	Duomenų Lapas	673Prieinamumas	Pjaunama Juosta 7,07 € 3,93 € 3,60 € 3,04 € Ritė 3,04 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.7 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLT TP65H070G4RS-TR Renesas Electronics 1: 7,34 € 1 608Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TP65H070G4RS-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H070G4RS-TR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLT Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics transphorm tp65H070g4rs supergan tolt fet	Duomenų Lapas	1 608Prieinamumas	Pjaunama Juosta 7,34 € 3,98 € 3,66 € 3,59 € Ritė 3,06 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in TO220 TP65H100G4PS Renesas Electronics 1: 5,69 € 714Prieinamumas "Mouser Naujiena"	Gam. dalies Nr. TP65H100G4PS „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H100G4PS "Mouser Naujiena"	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in TO220	Duomenų Lapas	714Prieinamumas	Pjaunama Juosta 5,69 € 3,02 € 2,76 € 2,31 € Ritė 2,30 € Peržiūrėti 2,27 € 2,18 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	Through Hole	TO-220-3	N-Channel		650 V	18.9 A	110 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.65 V	14.4 nC	- 55 C	+ 150 C	65.8 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP65H480G4JSGB-TR Renesas Electronics 1: 1,87 € 3 744Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TP65H480G4JSGB-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H480G4JSGBTR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Duomenų Lapas	3 744Prieinamumas	Pjaunama Juosta 1,87 € 0,903 € 0,808 € 0,642 € Ritė 0,506 € Peržiūrėti 0,617 € 0,595 € 0,481 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 4 000	SMD/SMT	QFN-7	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	560 mOhms	- 10 V, + 10 V	2.8 V	5 nC	- 55 C	+ 150 C	13.2 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSG-TR Renesas Electronics 1: 7,32 € 2 585Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TP65H070G4LSG-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H070G4LSG-TR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Duomenų Lapas	2 585Prieinamumas	Pjaunama Juosta 7,32 € 3,97 € 3,66 € 3,59 € 3,29 € Ritė 3,04 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in TO220 TP65H150G4PS Renesas Electronics 1: 4,65 € 1 751Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TP65H150G4PS „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H150G4PS	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in TO220 Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Duomenų Lapas	1 751Prieinamumas	4,65 € 2,52 € 2,24 € 1,87 € Peržiūrėti 1,83 € 1,73 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	13 A	180 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT TP65B110HRU-TR Renesas Electronics 1: 6,86 € 1 192Tikėtina 2026-11-03 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. TP65B110HRU-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65B110HRU-TR Naujas Produktas	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics renesas tp65b110hru bi directional switch	Duomenų Lapas	1 192Tikėtina 2026-11-03	Pjaunama Juosta 6,86 € 4,65 € 3,40 € 3,29 € 3,06 € Ritė 2,80 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 500															SuperGaN
GaN FET 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP TP70H135G4PJSGB-TR Renesas Electronics 5 000: 1,01 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. TP70H135G4PJSGB-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-P70H135G4PJSGBTR Naujas Produktas	Renesas Electronics	GaN FET 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	Ritė 1,01 €	Min.: 5 000 Daugkart.: 5 000 : 5 000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	700 V	15.8 A	169 mOhms	20 V	2.5 V	5.9 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP TP70H135G4PLSGB-TR Renesas Electronics 3 000: 1,07 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. TP70H135G4PLSGB-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-P70H135G4PLSGBTR Naujas Produktas	Renesas Electronics	GaN FET 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	Ritė 1,07 €	Min.: 3 000 Daugkart.: 3 000 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	700 V	14.6 A	169 mOhms	20 V	2.5 V	5.9 nC	- 55 C	+ 150 C	59.5 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L TP65H035G4YS Renesas Electronics 1 200: 4,72 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	Gam. dalies Nr. TP65H035G4YS „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H035G4YS	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	4,72 €	Min.: 1 200 Daugkart.: 600	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	46.5 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.6 V	42.7 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLL TP65H050G4QS-TR Renesas Electronics 2 000: 3,78 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	Gam. dalies Nr. TP65H050G4QS-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H050G4QS-TR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLL Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	Ritė 3,78 €	Min.: 2 000 Daugkart.: 2 000 : 2 000	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	650 V	34 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	119 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGBEA-TR Renesas Electronics 3 000: 2,76 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. TP65H070G4LSGBEA-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H070G4LSGBEA Naujas Produktas	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	Ritė 2,76 €	Min.: 3 000 Daugkart.: 3 000 : 3 000		PQFN-8			650 V										SuperGaN
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGEA-TR Renesas Electronics 3 000: 2,73 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. TP65H070G4LSGEA-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H070G4LSGEAT Naujas Produktas	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	Ritė 2,73 €	Min.: 3 000 Daugkart.: 3 000 : 3 000		PQFN-8			650 V										SuperGaN
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLL TP65H070G4QS-TR Renesas Electronics 2 000: 2,68 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	Gam. dalies Nr. TP65H070G4QS-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H070G4QS-TR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLL Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	Ritė 2,68 €	Min.: 2 000 Daugkart.: 2 000 : 2 000	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H100G4LSGB-TR Renesas Electronics 3 000: 1,86 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	Gam. dalies Nr. TP65H100G4LSGB-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H100G4LSGBTR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	Ritė 1,86 €	Min.: 3 000 Daugkart.: 3 000 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	18.9 A	110 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.1 V	14.4 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP TP70H130G4PLSG-TR Renesas Electronics 3 000: 1,07 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. TP70H130G4PLSG-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP70H130G4PLSGTR Naujas Produktas	Renesas Electronics	GaN FET 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	Ritė 1,07 €	Min.: 3 000 Daugkart.: 3 000 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	700 V	16 A	163 mOhms	20 V	4.8 V	10.7 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 700V, 130mohm GaN FET in TO-220 TP70H130G4PPS Renesas Electronics 1: 3,47 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. TP70H130G4PPS „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP70H130G4PPS Naujas Produktas	Renesas Electronics	GaN FET 700V, 130mohm GaN FET in TO-220	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	3,47 € 1,76 € 1,60 € 1,31 € Peržiūrėti 1,27 € 1,24 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	16 A	163 mOhms	20 V	4.8 V	10.7 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H150G4LSG-TR Renesas Electronics 3 000: 1,15 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	Gam. dalies Nr. TP70H150G4LSG-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP70H150G4LSG-TR	Renesas Electronics	GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	Ritė 1,15 €	Min.: 3 000 Daugkart.: 3 000 : 3 000					700 V										SuperGaN	GaN
GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H150G4LSGB-TR Renesas Electronics 3 000: 1,12 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	Gam. dalies Nr. TP70H150G4LSGB-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP70H150G4LSGBTR	Renesas Electronics	GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	Ritė 1,12 €	Min.: 3 000 Daugkart.: 3 000 : 3 000					700 V										SuperGaN	GaN

Gen IV SuperGaN® FETs

Taikyti filtrai:

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba

Bendrinti Šį

Gen IV SuperGaN® FETs

Taikyti filtrai: