SiC MOSFET

SiC MOSFET
SiC MOSFETs are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many SiC MOSFET manufacturers including Infineon, Microchip, Navitas Semiconductor, onsemi, ROHM Semiconductor, STMicroelectronics, Wolfspeed & more. Please view our large selection of SiC MOSFETs below.
Rezultatai: 1 274
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
Duomenų Lapas
187Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
140Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
APC-E SiC MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Duomenų Lapas
288Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Duomenų Lapas
70Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Duomenų Lapas
66Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
Duomenų Lapas
133Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
IXYS SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Duomenų Lapas
100Prieinamumas
450Tikėtina 2026-06-02
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
Duomenų Lapas
140Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
Duomenų Lapas
138Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-02-23
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
119Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
APC-E SiC MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
140Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
IXYS SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
Duomenų Lapas
78Prieinamumas
800Tikėtina 2026-06-02
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Duomenų Lapas
28Prieinamumas
750Tikėtina 2026-03-26
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 750

SMD/SMT HD-SOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 65.6 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
Duomenų Lapas
118Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
Duomenų Lapas
140Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
1 165Prieinamumas
1 500Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Central Semiconductor SiC MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Duomenų Lapas
30Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Duomenų Lapas
243Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
Duomenų Lapas
252Prieinamumas
600Tikėtina 2026-11-16
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 600

Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
799Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC
onsemi SiC MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263-7
Duomenų Lapas
688Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263-7
Duomenų Lapas
1 247Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET