SiC MOSFET

SiC MOSFET
SiC MOSFETs are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many SiC MOSFET manufacturers including Infineon, Microchip, Navitas Semiconductor, onsemi, ROHM Semiconductor, STMicroelectronics, Wolfspeed & more. Please view our large selection of SiC MOSFETs below.
Rezultatai: 1 274
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Duomenų Lapas
776Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
Duomenų Lapas
374Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
Duomenų Lapas
1 263Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
Duomenų Lapas
569Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

IXYS SiC MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
Duomenų Lapas
4 196Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1
Duomenų Lapas
1 491Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
Duomenų Lapas
513Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Duomenų Lapas
584Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247
Duomenų Lapas
3 297Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
Duomenų Lapas
3 923Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
Duomenų Lapas
1 014Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Duomenų Lapas
1 613Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247
Duomenų Lapas
1 295Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
Duomenų Lapas
1 824Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
865Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
Duomenų Lapas
258Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 232 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement

onsemi SiC MOSFET 60MOHM
Duomenų Lapas
265Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
Duomenų Lapas
150Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
Duomenų Lapas
221Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
SemiQ SiC MOSFET 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
Duomenų Lapas
30Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 119 A 18 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 216 nC - 55 C + 175 C 564 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFET 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
Duomenų Lapas
50Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 80m 3rd Gen TO-247-4L
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
900Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC + 175 C 165 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
Duomenų Lapas
82Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
Duomenų Lapas
115Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement