|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
- IMDQ75R007M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
31,83 €
-
6Prieinamumas
-
9 735Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMDQ75R007M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
|
|
6Prieinamumas
9 735Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
6 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
735 Tikėtina 2026-09-10
1 500 Tikėtina 2026-10-01
2 250 Tikėtina 2027-04-08
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
31,83 €
|
|
|
25,97 €
|
|
|
22,94 €
|
|
|
21,42 €
|
|
|
21,42 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
- IDK06G65C5XTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
2,95 €
-
4 551Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDK06G65C5XTMA2
|
Infineon Technologies
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
|
|
4 551Prieinamumas
|
|
|
2,95 €
|
|
|
1,86 €
|
|
|
1,29 €
|
|
|
1,11 €
|
|
|
1,03 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC CHIP/DISCRETE
- IDH16G120C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,87 €
-
863Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDH16G120C5XKSA1
|
Infineon Technologies
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC CHIP/DISCRETE
|
|
863Prieinamumas
|
|
|
5,87 €
|
|
|
3,26 €
|
|
|
2,98 €
|
|
|
2,94 €
|
|
|
2,61 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
- IDH10SG60CXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
5,72 €
-
567Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDH10SG60CXKSA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
|
|
567Prieinamumas
|
|
|
5,72 €
|
|
|
3,03 €
|
|
|
2,77 €
|
|
|
2,21 €
|
|
|
2,16 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMW120R035M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
29,81 €
-
283Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-W120R035M1HXKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
283Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC_DISCRETE
- AIDK08S65C5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,57 €
-
717Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-AIDK08S65C5ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC_DISCRETE
|
|
717Prieinamumas
|
|
|
5,57 €
|
|
|
3,07 €
|
|
|
2,72 €
|
|
|
2,55 €
|
|
|
2,20 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
- IDD08SG60CXTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
4,68 €
-
4 541Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDD08SG60CXTMA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
|
|
4 541Prieinamumas
|
|
|
4,68 €
|
|
|
2,43 €
|
|
|
2,22 €
|
|
|
2,03 €
|
|
|
1,95 €
|
|
|
1,82 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMW120R045M1XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
17,40 €
-
736Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-AIMW120R045M1XKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
736Prieinamumas
|
|
|
17,40 €
|
|
|
13,30 €
|
|
|
12,60 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
- IDD06SG60CXTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
3,87 €
-
1 798Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDD06SG60CXTMA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
|
|
1 798Prieinamumas
|
|
|
3,87 €
|
|
|
2,41 €
|
|
|
1,80 €
|
|
|
1,51 €
|
|
|
1,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBG120R060M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,75 €
-
323Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG120R060M1HXT
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
323Prieinamumas
|
|
|
8,75 €
|
|
|
4,88 €
|
|
|
4,58 €
|
|
|
4,52 €
|
|
|
4,27 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,25 €
-
432Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R048M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
432Prieinamumas
|
|
|
9,25 €
|
|
|
5,48 €
|
|
|
4,62 €
|
|
|
4,15 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
- IDD10SG60CXTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
5,66 €
-
2 689Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDD10SG60CXTMA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
|
|
2 689Prieinamumas
|
|
|
5,66 €
|
|
|
3,79 €
|
|
|
2,73 €
|
|
|
2,51 €
|
|
|
2,35 €
|
|
|
2,34 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBG120R045M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,60 €
-
635Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG120R045M1HXT
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
635Prieinamumas
|
|
|
11,60 €
|
|
|
8,34 €
|
|
|
6,99 €
|
|
|
6,57 €
|
|
|
6,12 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R022M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
15,44 €
-
643Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R022M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
643Prieinamumas
|
|
|
15,44 €
|
|
|
10,58 €
|
|
|
9,39 €
|
|
|
9,19 €
|
|
|
8,22 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R140M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,64 €
-
368Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R140M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
368Prieinamumas
|
|
|
5,64 €
|
|
|
4,25 €
|
|
|
3,66 €
|
|
|
3,12 €
|
|
|
3,09 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC_DISCRETE
- AIDK10S65C5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,74 €
-
1 249Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-AIDK10S65C5ATMA1
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC_DISCRETE
|
|
1 249Prieinamumas
|
|
|
4,74 €
|
|
|
3,31 €
|
|
|
2,56 €
|
|
|
2,40 €
|
|
|
2,18 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,18 €
-
437Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R107M1HXKS
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
437Prieinamumas
|
|
|
5,18 €
|
|
|
3,39 €
|
|
|
3,38 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
- AIMDQ75R020M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
16,32 €
-
5Prieinamumas
-
750Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-AIMDQ75R020M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
|
|
5Prieinamumas
750Pagal užsakymą
|
|
|
16,32 €
|
|
|
12,13 €
|
|
|
10,49 €
|
|
|
9,93 €
|
|
|
9,93 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
- AIMZA75R025M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
15,88 €
-
5Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-09-03
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-AIMZA75R025M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
|
|
5Prieinamumas
240Tikėtina 2026-09-03
|
|
|
15,88 €
|
|
|
12,09 €
|
|
|
8,17 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET 750V G2
- AIMBG75R020M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
16,59 €
-
13Prieinamumas
-
1 000Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-AIMBG75R020M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET 750V G2
|
|
13Prieinamumas
1 000Pagal užsakymą
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC
- FF1000UXTR23T2M1BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
3 914,91 €
-
7Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1000UXTR23T2B1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC
|
|
7Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R004M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
62,75 €
-
1 455Prieinamumas
-
1 500Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R004M2HXU
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
1 455Prieinamumas
1 500Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
1 455 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
750 Tikėtina 2026-09-10
750 Tikėtina 2026-10-08
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
62,75 €
|
|
|
54,52 €
|
|
|
49,13 €
|
|
|
45,61 €
|
|
|
45,61 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R011M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
15,57 €
-
1 407Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT40R011M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 407Prieinamumas
|
|
|
15,57 €
|
|
|
9,11 €
|
|
|
9,08 €
|
|
|
9,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT44R011M2HXTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
16,41 €
-
1 670Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT44R011M2HXTMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 670Prieinamumas
|
|
|
16,41 €
|
|
|
11,67 €
|
|
|
10,27 €
|
|
|
9,59 €
|
|
|
9,59 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT44R015M2HXTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
12,94 €
-
1 980Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT44R015M2HXTMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 980Prieinamumas
|
|
|
12,94 €
|
|
|
9,09 €
|
|
|
7,57 €
|
|
|
7,06 €
|
|
|
7,06 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
Lietuva
