|
|
GaN FET GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
- GAN080-650EBEZ
- Nexperia
-
1:
7,11 €
-
2 158Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-GAN080-650EBEZ
|
Nexperia
|
GaN FET GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
|
|
2 158Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
- GAN140-650EBEZ
- Nexperia
-
1:
5,81 €
-
1 730Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-GAN140-650EBEZ
|
Nexperia
|
GaN FET GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
|
|
1 730Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
- CGHV35400F1
- MACOM
-
Ribotas Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV35400F1
|
MACOM
|
GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
- CGH60008D-GP4
- MACOM
-
10:
27,19 €
-
560Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGH60008D
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
|
|
560Prieinamumas
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
- CGHV59350F
- MACOM
-
1:
2 042,21 €
-
14Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV59350F
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
|
|
14Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
- CGH40006S
- MACOM
-
1:
51,81 €
-
1 374Prieinamumas
-
2 600Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGH40006S
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
|
|
1 374Prieinamumas
2 600Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
1 374 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
800 Tikėtina 2026-10-23
1 800 Tikėtina 2026-11-02
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
200
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas 13-15.5GHz PAE >32% SSG 29.5dB GaN
- TGA2239
- Qorvo
-
10:
881,95 €
-
20Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-TGA2239
|
Qorvo
|
RF Stiprintuvas 13-15.5GHz PAE >32% SSG 29.5dB GaN
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas 13-15.5GHz SSG>30dB 50W Pout 45.5dBm
- TGA2239-CP
- Qorvo
-
1:
1 363,59 €
-
30Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-TGA2239-CP
|
Qorvo
|
RF Stiprintuvas 13-15.5GHz SSG>30dB 50W Pout 45.5dBm
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
|
|
30Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
- CGHV35400F
- MACOM
-
Ribotas Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV35400F
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT
- CGHV40180F
- MACOM
-
1:
440,84 €
-
265Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV40180F
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT
|
|
265Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4
- CMPA0530002S
- MACOM
-
1:
101,66 €
-
355Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CMPA0530002S
|
MACOM
|
RF Stiprintuvas MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4
|
|
355Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
50
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
- CGHV1F006S
- MACOM
-
1:
77,71 €
-
651Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV1F006S
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
|
|
651Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
250
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 650-V 170/248-m? GaN half-bridge for ACF
- LMG2610RRGT
- Texas Instruments
-
1:
13,30 €
-
239Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-LMG2610RRGT
|
Texas Instruments
|
Gate Tvarkyklės 650-V 170/248-m? GaN half-bridge for ACF
|
|
239Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
250
|
|
|
|
|
GaN FET 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
- TGF2977-SM
- Qorvo
-
1:
51,89 €
-
1 377Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-TGF2977-SM
|
Qorvo
|
GaN FET 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
|
|
1 377Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
- MGA-444940-02
- CML Micro
-
1:
149,21 €
-
88Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
938-MGA-444940-02
|
CML Micro
|
RF Stiprintuvas Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
|
|
88Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
10
|
|
|
|
|
GaN FET Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN
- CGH21240F
- MACOM
-
1:
1 013,79 €
-
67Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGH21240F
|
MACOM
|
GaN FET Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN
|
|
67Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
- ADUM4221-1BRIZ
- Analog Devices
-
1:
8,39 €
-
4 233Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
584-ADUM4221-1BRIZ
|
Analog Devices
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
|
|
4 233Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 386
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
- MGA-445940-02
- CML Micro
-
1:
209,38 €
-
28Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
938-MGA-445940-02
|
CML Micro
|
RF Stiprintuvas Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
|
|
28Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
10
|
|
|
|
|
GaN FET DC-3.6GHz GaN 90W 48V
- QPD0060
- Qorvo
-
1:
149,59 €
-
130Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-QPD0060
|
Qorvo
|
GaN FET DC-3.6GHz GaN 90W 48V
|
|
130Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
100
|
|
|
|
|
GaN FET DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
- QPD1010
- Qorvo
-
1:
65,40 €
-
82Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-QPD1010
|
Qorvo
|
GaN FET DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
|
|
82Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 4.5V
- ADUM4221-1ARIZ-RL
- Analog Devices
-
1:
4,76 €
-
3 620Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
584-ADUM4221-1ARIZ-R
|
Analog Devices
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 4.5V
|
|
3 620Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 2 896
:
1 000
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
- ADUM4221-1BRIZ-RL
- Analog Devices
-
1:
4,76 €
-
13 551Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
584-ADUM4221-1BRIZ-R
|
Analog Devices
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
|
|
13 551Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 10 840
:
1 000
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 3.0kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21222D
- UCC21222DR
- Texas Instruments
-
1:
3,04 €
-
2 464Prieinamumas
-
2 500Tikėtina 2026-10-27
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-UCC21222DR
|
Texas Instruments
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 3.0kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21222D
|
|
2 464Prieinamumas
2 500Tikėtina 2026-10-27
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
- T2G6001528-Q3
- Qorvo
-
1:
207,64 €
-
123Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-T2G6001528-Q3
|
Qorvo
|
GaN FET DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
|
|
123Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas 2-18GHz PAE>20% SSG 22dB GaN
- TGA2214
- Qorvo
-
10:
389,35 €
-
10Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-TGA2214
|
Qorvo
|
RF Stiprintuvas 2-18GHz PAE>20% SSG 22dB GaN
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
|
|
10Prieinamumas
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
|