|
|
GaN FET GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
- GAN140-650EBEZ
- Nexperia
-
1:
5,81 €
-
1 729Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-GAN140-650EBEZ
|
Nexperia
|
GaN FET GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
|
|
1 729Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT
- CGHV40180F
- MACOM
-
1:
440,84 €
-
265Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV40180F
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT
|
|
265Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4
- CMPA0530002S
- MACOM
-
1:
101,66 €
-
355Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CMPA0530002S
|
MACOM
|
RF Stiprintuvas MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4
|
|
355Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
50
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas 13-15.5GHz PAE >32% SSG 29.5dB GaN
- TGA2239
- Qorvo
-
10:
881,95 €
-
20Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-TGA2239
|
Qorvo
|
RF Stiprintuvas 13-15.5GHz PAE >32% SSG 29.5dB GaN
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas 13-15.5GHz SSG>30dB 50W Pout 45.5dBm
- TGA2239-CP
- Qorvo
-
1:
1 363,59 €
-
34Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-TGA2239-CP
|
Qorvo
|
RF Stiprintuvas 13-15.5GHz SSG>30dB 50W Pout 45.5dBm
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
|
|
34Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
- CGHV35400F
- MACOM
-
Ribotas Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV35400F
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
- CGHV1F006S
- MACOM
-
1:
77,71 €
-
651Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV1F006S
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
|
|
651Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
250
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
- CGH60008D-GP4
- MACOM
-
10:
27,19 €
-
560Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGH60008D
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
|
|
560Prieinamumas
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
- CGHV59350F
- MACOM
-
1:
2 042,21 €
-
14Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV59350F
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
|
|
14Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
- CGHV35400F1
- MACOM
-
Ribotas Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV35400F1
|
MACOM
|
GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 650-V 170/248-m? GaN half-bridge for ACF
- LMG2610RRGT
- Texas Instruments
-
1:
13,30 €
-
239Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-LMG2610RRGT
|
Texas Instruments
|
Gate Tvarkyklės 650-V 170/248-m? GaN half-bridge for ACF
|
|
239Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
250
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
- CGH40006S
- MACOM
-
1:
52,22 €
-
1 374Prieinamumas
-
2 600Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGH40006S
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
|
|
1 374Prieinamumas
2 600Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
1 374 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
800 Tikėtina 2026-10-23
1 800 Tikėtina 2026-11-02
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
200
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
- MGA-444940-02
- CML Micro
-
1:
149,21 €
-
88Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
938-MGA-444940-02
|
CML Micro
|
RF Stiprintuvas Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
|
|
88Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
10
|
|
|
|
|
GaN FET Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN
- CGH21240F
- MACOM
-
1:
1 013,79 €
-
67Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGH21240F
|
MACOM
|
GaN FET Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN
|
|
67Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
- ADUM4221-1BRIZ
- Analog Devices
-
1:
8,39 €
-
4 233Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
584-ADUM4221-1BRIZ
|
Analog Devices
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
|
|
4 233Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 386
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 4.5V
- ADUM4221-1ARIZ-RL
- Analog Devices
-
1:
4,76 €
-
3 620Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
584-ADUM4221-1ARIZ-R
|
Analog Devices
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 4.5V
|
|
3 620Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 2 896
:
1 000
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
- ADUM4221-1BRIZ-RL
- Analog Devices
-
1:
4,76 €
-
13 551Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
584-ADUM4221-1BRIZ-R
|
Analog Devices
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
|
|
13 551Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 10 840
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
- MASTERGAN4LTR
- STMicroelectronics
-
1:
4,34 €
-
1 361Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-MASTERGAN4LTR
|
STMicroelectronics
|
Gate Tvarkyklės 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
|
|
1 361Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- TP65H070G4LSGB-TR
- Renesas Electronics
-
1:
7,19 €
-
2 446Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
227-TP65H070G4LSGBTR
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
|
|
2 446Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
- MASTERGAN1LTR
- STMicroelectronics
-
1:
5,49 €
-
1 168Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-MASTERGAN1LTR
|
STMicroelectronics
|
Gate Tvarkyklės 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
|
|
1 168Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas 20 TO 40 GHZ, 8W MMIC PA DOT
- QPA2640T
- Qorvo
-
10:
1 318,77 €
-
10Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-QPA2640T
|
Qorvo
|
RF Stiprintuvas 20 TO 40 GHZ, 8W MMIC PA DOT
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
|
|
10Prieinamumas
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
|
|
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 65 W (85-265 VAC)
- INN3278C-H114-TL
- Power Integrations
-
1:
2,64 €
-
3 771Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
869-INN3278C-H114-TL
|
Power Integrations
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 65 W (85-265 VAC)
|
|
3 771Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 60 W (85-265 VAC)
- INN3879C-H801-TL
- Power Integrations
-
1:
4,37 €
-
1 321Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
869-INN3879C-H801-TL
|
Power Integrations
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 60 W (85-265 VAC)
|
|
1 321Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5.7kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21540DWK
- UCC21540DWKR
- Texas Instruments
-
1:
2,26 €
-
1 263Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-UCC21540DWKR
|
Texas Instruments
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5.7kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21540DWK
|
|
1 263Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas 2-20GHz 10W GAN AMPLIFIER
- TGA2962
- Qorvo
-
10:
731,10 €
-
10Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-TGA2962
|
Qorvo
|
RF Stiprintuvas 2-20GHz 10W GAN AMPLIFIER
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
|
|
10Prieinamumas
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
|