|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R110D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,12 €
-
2 561Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGLD65R110D2AUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2 561Prieinamumas
|
|
|
4,12 €
|
|
|
2,12 €
|
|
|
1,93 €
|
|
|
1,67 €
|
|
|
1,42 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R140D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,53 €
-
2 657Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGLD65R140D2AUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2 657Prieinamumas
|
|
|
3,53 €
|
|
|
2,23 €
|
|
|
1,63 €
|
|
|
1,35 €
|
|
|
1,15 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R140D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,35 €
-
4 511Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGLR65R140D2XUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4 511Prieinamumas
|
|
|
3,35 €
|
|
|
2,20 €
|
|
|
1,54 €
|
|
|
1,26 €
|
|
|
1,21 €
|
|
|
1,07 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R200D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,47 €
-
4 825Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGLR65R200D2XUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4 825Prieinamumas
|
|
|
2,47 €
|
|
|
1,60 €
|
|
|
1,10 €
|
|
|
0,886 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,703 €
|
|
|
0,827 €
|
|
|
0,812 €
|
|
|
0,703 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R270D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,15 €
-
4 720Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGLR65R270D2XUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4 720Prieinamumas
|
|
|
2,15 €
|
|
|
1,38 €
|
|
|
0,946 €
|
|
|
0,753 €
|
|
|
0,586 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,685 €
|
|
|
0,675 €
|
|
|
0,582 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R045D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,37 €
-
1 163Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGLT65R045D2ATMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
1 163Prieinamumas
|
|
|
7,37 €
|
|
|
5,01 €
|
|
|
3,68 €
|
|
|
3,62 €
|
|
|
3,07 €
|
|
|
3,07 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R110D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,06 €
-
1 495Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGLT65R110D2ATMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
1 495Prieinamumas
|
|
|
4,06 €
|
|
|
2,68 €
|
|
|
1,90 €
|
|
|
1,63 €
|
|
|
1,38 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R025D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,54 €
-
873Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGOT65R025D2AUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
873Prieinamumas
|
|
|
11,54 €
|
|
|
8,54 €
|
|
|
7,12 €
|
|
|
6,17 €
|
|
|
5,38 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R035D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,49 €
-
477Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGOT65R035D2AUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
477Prieinamumas
|
|
|
9,49 €
|
|
|
6,54 €
|
|
|
5,04 €
|
|
|
4,28 €
|
|
|
4,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R045D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,59 €
-
468Prieinamumas
-
1 600Tikėtina 2026-12-14
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGOT65R045D2AUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
468Prieinamumas
1 600Tikėtina 2026-12-14
|
|
|
7,59 €
|
|
|
5,18 €
|
|
|
4,47 €
|
|
|
3,20 €
|
|
|
3,20 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R055D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,34 €
-
613Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGOT65R055D2AUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
613Prieinamumas
|
|
|
6,34 €
|
|
|
4,28 €
|
|
|
3,11 €
|
|
|
2,51 €
|
|
|
2,51 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R025D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,97 €
-
1 981Prieinamumas
-
4 000Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGT65R025D2ATMA1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
1 981Prieinamumas
4 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
1 981 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
2 000 Tikėtina 2026-09-14
2 000 Tikėtina 2026-12-14
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
18 Savaičių
|
|
|
10,97 €
|
|
|
7,63 €
|
|
|
6,11 €
|
|
|
5,35 €
|
|
|
5,19 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R045D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,37 €
-
1 528Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGT65R045D2ATMA1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
1 528Prieinamumas
|
|
|
7,37 €
|
|
|
5,01 €
|
|
|
3,68 €
|
|
|
3,62 €
|
|
|
3,32 €
|
|
|
3,07 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R140D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,48 €
-
1 519Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGT65R140D2ATMA1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
1 519Prieinamumas
|
|
|
3,48 €
|
|
|
2,29 €
|
|
|
1,60 €
|
|
|
1,32 €
|
|
|
1,13 €
|
|
|
1,12 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
GaN FET GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
- GANE190-700BBAZ
- Nexperia
-
1:
3,34 €
-
2 388Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-GANE190-700BBAZ
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
GaN FET GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
|
|
2 388Prieinamumas
|
|
|
3,34 €
|
|
|
1,69 €
|
|
|
1,62 €
|
|
|
1,35 €
|
|
|
1,28 €
|
|
|
1,06 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
- GANE2R7-100CBAZ
- Nexperia
-
1:
5,03 €
-
1 460Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-GANE2R7-100CBAZ
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
GaN FET GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
|
|
1 460Prieinamumas
|
|
|
5,03 €
|
|
|
2,64 €
|
|
|
2,41 €
|
|
|
2,18 €
|
|
|
1,85 €
|
|
|
1,85 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 500
|
|
|
|
|
GaN FET GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
- GANE350-650FBAZ
- Nexperia
-
1:
1,33 €
-
1 912Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-GANE350-650FBAZ
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
GaN FET GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
|
|
1 912Prieinamumas
|
|
|
1,33 €
|
|
|
0,886 €
|
|
|
0,737 €
|
|
|
0,71 €
|
|
|
0,685 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,685 €
|
|
|
0,648 €
|
|
|
0,643 €
|
|
|
Pasiūlymas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
- GANE350-700BBAZ
- Nexperia
-
1:
2,24 €
-
2 343Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-GANE350-700BBAZ
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
GaN FET GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
|
|
2 343Prieinamumas
|
|
|
2,24 €
|
|
|
1,48 €
|
|
|
1,01 €
|
|
|
0,851 €
|
|
|
0,712 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,753 €
|
|
|
0,663 €
|
|
|
0,658 €
|
|
|
Pasiūlymas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 20 W (85-580 VAC)
- INN3624C-H606-TL
- Power Integrations
-
1:
2,60 €
-
1 799Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
869-INN3624C-H606-TL
Naujas Produktas
|
Power Integrations
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 20 W (85-580 VAC)
|
|
1 799Prieinamumas
|
|
|
2,60 €
|
|
|
1,95 €
|
|
|
1,78 €
|
|
|
1,61 €
|
|
|
1,37 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,52 €
|
|
|
1,49 €
|
|
|
1,45 €
|
|
|
1,33 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
- MASTERGAN3TR
- STMicroelectronics
-
1:
4,76 €
-
461Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-MASTERGAN3TR
|
STMicroelectronics
|
Gate Tvarkyklės High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
|
|
461Prieinamumas
|
|
|
4,76 €
|
|
|
3,89 €
|
|
|
3,67 €
|
|
|
3,66 €
|
|
|
3,55 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas High Power Amplifier, 20 - 500 MHz, 50 Ohm
- ZHL-50W-GAN+
- Mini-Circuits
-
1:
4 149,60 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
139-ZHL-50W-GAN+
|
Mini-Circuits
|
RF Stiprintuvas High Power Amplifier, 20 - 500 MHz, 50 Ohm
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės FULLY INTEGRATED HV GATE DRIVER WITH UNIPOLAR OUTPUT
- AHV85110KNHTR
- Allegro MicroSystems
-
1:
5,28 €
-
4 383Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
250-AHV85110KNHTR
|
Allegro MicroSystems
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės FULLY INTEGRATED HV GATE DRIVER WITH UNIPOLAR OUTPUT
|
|
4 383Prieinamumas
|
|
|
5,28 €
|
|
|
4,05 €
|
|
|
3,74 €
|
|
|
3,41 €
|
|
|
3,04 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
3,26 €
|
|
|
3,21 €
|
|
|
3,07 €
|
|
|
3,02 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 500
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
- EPC2304
- EPC
-
1:
7,78 €
-
6 199Prieinamumas
-
"Mouser Naujiena"
|
„Mouser“ Dalies Nr.
65-EPC2304
"Mouser Naujiena"
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
|
|
6 199Prieinamumas
|
|
|
7,78 €
|
|
|
5,31 €
|
|
|
3,91 €
|
|
|
3,89 €
|
|
|
3,40 €
|
|
|
3,30 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
- EPC2305
- EPC
-
1:
7,58 €
-
14 815Prieinamumas
-
"Mouser Naujiena"
|
„Mouser“ Dalies Nr.
65-EPC2305
"Mouser Naujiena"
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
|
|
14 815Prieinamumas
|
|
|
7,58 €
|
|
|
4,13 €
|
|
|
3,80 €
|
|
|
3,76 €
|
|
|
3,44 €
|
|
|
3,19 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2306
- EPC
-
1:
4,69 €
-
11 496Prieinamumas
-
"Mouser Naujiena"
|
„Mouser“ Dalies Nr.
65-EPC2306
"Mouser Naujiena"
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
11 496Prieinamumas
|
|
|
4,69 €
|
|
|
2,44 €
|
|
|
2,23 €
|
|
|
1,98 €
|
|
|
1,75 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,91 €
|
|
|
1,68 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
Lietuva
