GaN Puslaidininkiai

Rezultatai: 736
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS
Texas Instruments Gate Tvarkyklės 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
Duomenų Lapas
1 600Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Bidirectional Switch
Duomenų Lapas
2 834Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000
onsemi GaN FET GaN FET, 700V, 132m, DPAK
Duomenų Lapas
2 490Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 25
: 250

Texas Instruments Gate Tvarkyklės 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri
Duomenų Lapas
1 629Prieinamumas
2 500Tikėtina 2026-10-22
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 100
: 2 500

EPC Gate Tvarkyklės Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
Duomenų Lapas
3 984Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-08-27
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
Duomenų Lapas
11 532Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-08-18
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Nexperia GaN FET GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Duomenų Lapas
2 401Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Qorvo RF Stiprintuvas 20W, 17.3-21.2 GHz PA-die
5Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Nexperia GaN FET GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Duomenų Lapas
2 071Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
Duomenų Lapas
321Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
Duomenų Lapas
589Prieinamumas
1 300Tikėtina 2026-08-17
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 300

Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
Duomenų Lapas
1 195Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Renesas Electronics GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in TO220
Duomenų Lapas
719Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

STMicroelectronics Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
Duomenų Lapas
1 474Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Texas Instruments Gate Tvarkyklės
Duomenų Lapas
1 232Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 50
: 2 000

Texas Instruments Gate Tvarkyklės 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ
Duomenų Lapas
1 997Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Texas Instruments Gate Tvarkyklės
Duomenų Lapas
1 997Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 001
: 2 000

Texas Instruments Gate Tvarkyklės 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
Duomenų Lapas
2 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Texas Instruments Gate Tvarkyklės 650V 270mohm GaN FET with integrated dri
Duomenų Lapas
2 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
Duomenų Lapas
2 056Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
Duomenų Lapas
2 182Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
Duomenų Lapas
3 471Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Infineon Technologies GaN FET Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
Duomenų Lapas
2 970Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
2 133Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
2 679Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000