{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 25

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Qg – vartų krūvis

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Prekinis pavadinimas

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Prekinis pavadinimas
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R057M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,08 € 1 995Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMBG65R057M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG65R057M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	1 995Prieinamumas	Pjaunama Juosta 8,08 € 4,70 € 4,34 € 4,07 € Ritė 3,87 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	39 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	161 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,00 € 335Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMZA65R039M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R039M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	335Prieinamumas	8,00 € 5,61 € 5,25 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	50 A	50 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	176 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,36 € 1 000Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMBG65R163M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG65R163M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	1 000Prieinamumas	Pjaunama Juosta 5,36 € 2,83 € 2,09 € 2,08 € Ritė 2,08 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	17 A	217 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	85 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 15,67 € 643Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMBG65R022M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG65R022M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	643Prieinamumas	Pjaunama Juosta 15,67 € 9,68 € 9,41 € Ritė 9,16 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	64 A	30 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,80 € 753Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMBG65R107M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG65R107M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	753Prieinamumas	Pjaunama Juosta 5,80 € 3,40 € 3,10 € 2,92 € Ritė 2,80 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	24 A	141 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	110 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,39 € 861Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMBG65R072M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG65R072M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	861Prieinamumas	Pjaunama Juosta 6,39 € 4,02 € 3,68 € 3,47 € Ritė 3,43 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	33 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	140 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R048M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,72 € 1 019Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMBG65R048M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG65R048M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	1 019Prieinamumas	Pjaunama Juosta 8,72 € 4,82 € 4,52 € 4,45 € Ritė 4,28 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	45 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	183 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,57 € 1 701Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW65R027M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	1 701Prieinamumas	12,57 € 7,56 € 7,46 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,25 € 341Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW65R048M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	341Prieinamumas	9,25 € 5,03 € 4,65 € 4,62 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,95 € 299Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMZA65R048M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	299Prieinamumas	8,95 € 5,15 € 4,77 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R260M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 4,39 € 657Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMBG65R260M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG65R260M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	657Prieinamumas	Pjaunama Juosta 4,39 € 2,28 € 2,07 € 1,81 € Ritė 1,71 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	6 A	346 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,46 € 465Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW65R030M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R030M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	465Prieinamumas	12,46 € 6,99 € 6,81 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	58 A	42 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	48 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,85 € 314Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW65R072M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	314Prieinamumas	6,85 € 3,93 € 3,66 € 3,52 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,51 € 463Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW65R107M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	463Prieinamumas	6,51 € 3,41 € 3,14 € 2,90 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,66 € 235Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMZA65R030M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	235Prieinamumas	12,66 € 7,11 € 6,95 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	53 A	42 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	48 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,04 € 128Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMZA65R057M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R057M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	128Prieinamumas	8,04 € 4,62 € 4,12 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	35 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	133 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,35 € 28Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW65R083M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R083M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	28Prieinamumas	6,35 € 4,02 € 3,77 € 3,45 € 3,29 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	24 A	111 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	104 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 13,68 € 17Prieinamumas 3 600Pagal užsakymą NRND	Gam. dalies Nr. IMZA65R027M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	17Prieinamumas 3 600Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZA65R027M1HXKSA1 Turime sandėlyje: 17 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 1 680 Tikėtina 2027-10-05 1 920 TBD Gamintojo numatytas pristatymo laikas 52 Savaičių	13,68 € 7,75 € 7,68 € 7,67 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1 000: 6,29 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių NRND	Gam. dalies Nr. IMBG65R030M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG65R030M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių	Ritė 6,29 €	Min.: 1 000 Daugkart.: 1 000 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	63 A	42 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R039M1HXTMA1 Infineon Technologies 1 000: 5,30 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių NRND	Gam. dalies Nr. IMBG65R039M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG65R039M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių	Ritė 5,30 €	Min.: 1 000 Daugkart.: 1 000 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	54 A	51 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	211 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R083M1HXTMA1 Infineon Technologies 1 000: 3,34 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių NRND	Gam. dalies Nr. IMBG65R083M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG65R083M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių	Ritė 3,34 €	Min.: 1 000 Daugkart.: 1 000 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	28 A	111 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	44 nC	- 55 C	+ 175 C	126 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 10,05 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių NRND	Gam. dalies Nr. IMW65R039M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R039M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių	10,05 € 5,51 € 5,11 € 5,08 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	46 A	50 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	176 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,68 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių NRND	Gam. dalies Nr. IMW65R057M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R057M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių	8,68 € 5,32 € 4,42 € 4,05 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	35 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	133 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,53 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių NRND	Gam. dalies Nr. IMZA65R072M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R072M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių	7,53 € 4,43 € 3,67 € 3,66 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	28 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies 240: 3,90 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių NRND	Gam. dalies Nr. IMZA65R083M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R083M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių	3,90 € 3,41 €	Min.: 240 Daugkart.: 240	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	26 A	111 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	104 W	Enhancement

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Taikyti filtrai:

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba