|
|
GaN FET GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060-
- GAN190-650FBEZ
- Nexperia
-
1:
4,25 €
-
2 638Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-GAN190-650FBEZ
|
Nexperia
|
GaN FET GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060-
|
|
2 638Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
- GAN140-650EBEZ
- Nexperia
-
1:
5,81 €
-
1 730Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-GAN140-650EBEZ
|
Nexperia
|
GaN FET GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
|
|
1 730Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
- GAN080-650EBEZ
- Nexperia
-
1:
7,11 €
-
2 087Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-GAN080-650EBEZ
|
Nexperia
|
GaN FET GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
|
|
2 087Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
- CGHV35400F1
- MACOM
-
Ribotas Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV35400F1
|
MACOM
|
GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GaN FET DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor
- QPD0020TR7
- Qorvo
-
1:
64,75 €
-
338Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-QPD0020TR7
|
Qorvo
|
GaN FET DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor
|
|
338Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
500
|
|
|
|
|
GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
- TP65H480G4JSGB-TR
- Renesas Electronics
-
1:
1,87 €
-
3 744Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
227-TP65H480G4JSGBTR
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
|
|
3 744Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas 13-15.5GHz PAE >32% SSG 29.5dB GaN
- TGA2239
- Qorvo
-
10:
939,85 €
-
20Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-TGA2239
|
Qorvo
|
RF Stiprintuvas 13-15.5GHz PAE >32% SSG 29.5dB GaN
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
- CGHV35400F
- MACOM
-
Ribotas Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV35400F
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT
- CGHV40180F
- MACOM
-
1:
440,84 €
-
265Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV40180F
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT
|
|
265Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
- TGF2977-SM
- Qorvo
-
1:
51,90 €
-
1 377Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-TGF2977-SM
|
Qorvo
|
GaN FET 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
|
|
1 377Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN
- CGH21240F
- MACOM
-
1:
1 013,73 €
-
67Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGH21240F
|
MACOM
|
GaN FET Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN
|
|
67Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4
- CMPA0530002S
- MACOM
-
1:
101,59 €
-
339Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CMPA0530002S
|
MACOM
|
RF Stiprintuvas MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4
|
|
339Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
50
|
|
|
|
|
GaN FET 650V 35MR LGAN TOLL
- NTBL035N65GN1TXG
- onsemi
-
1:
13,64 €
-
2 400Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTBL035N65GN1TXG
Naujas Produktas
|
onsemi
|
GaN FET 650V 35MR LGAN TOLL
|
|
2 400Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 200
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
- CGH60030D-GP4
- MACOM
-
10:
107,25 €
-
10Prieinamumas
-
80Tikėtina 2026-12-07
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGH60030D
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
|
|
10Prieinamumas
80Tikėtina 2026-12-07
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
|
|
|
GaN FET DC-3.6GHz GaN 90W 48V
- QPD0060
- Qorvo
-
1:
149,66 €
-
130Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-QPD0060
|
Qorvo
|
GaN FET DC-3.6GHz GaN 90W 48V
|
|
130Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
100
|
|
|
|
|
GaN FET DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
- QPD1010
- Qorvo
-
1:
65,43 €
-
80Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-QPD1010
|
Qorvo
|
GaN FET DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
|
|
80Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
- MGA-445940-02
- CML Micro
-
1:
209,38 €
-
31Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
938-MGA-445940-02
|
CML Micro
|
RF Stiprintuvas Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
|
|
31Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
10
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
- ADUM4221-1BRIZ
- Analog Devices
-
1:
8,35 €
-
4 233Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
584-ADUM4221-1BRIZ
|
Analog Devices
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
|
|
4 233Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- TP65H070G4LSG-TR
- Renesas Electronics
-
1:
7,32 €
-
2 585Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
227-TP65H070G4LSG-TR
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
|
|
2 585Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
MACOM CGHV27030S
- CGHV27030S
- MACOM
-
1:
71,30 €
-
344Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV27030S
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
|
|
344Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
250
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 3.0kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21222D
- UCC21222DR
- Texas Instruments
-
1:
2,99 €
-
4 972Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-UCC21222DR
|
Texas Instruments
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 3.0kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21222D
|
|
4 972Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
- T2G6001528-Q3
- Qorvo
-
1:
221,49 €
-
123Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-T2G6001528-Q3
|
Qorvo
|
GaN FET DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
|
|
123Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas 2-18GHz PAE>20% SSG 22dB GaN
- TGA2214
- Qorvo
-
10:
409,50 €
-
10Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-TGA2214
|
Qorvo
|
RF Stiprintuvas 2-18GHz PAE>20% SSG 22dB GaN
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
|
|
10Prieinamumas
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
|
|
|
GaN FET Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V
- CGHV38375F
- MACOM
-
1:
1 263,37 €
-
20Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV38375F
|
MACOM
|
GaN FET Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
- MASTERGAN4LTR
- STMicroelectronics
-
1:
4,20 €
-
1 361Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-MASTERGAN4LTR
|
STMicroelectronics
|
Gate Tvarkyklės 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
|
|
1 361Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|