GaN Puslaidininkiai

Rezultatai: 711
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Texas Instruments Gate Tvarkyklės 600V 30mohm GaN FET with integrated driv 211Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

Texas Instruments Gate Tvarkyklės 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv 216Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

Texas Instruments Gate Tvarkyklės 650V 170mohm GaN FET with integrated dri 1 789Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 001
: 2 000

Texas Instruments Gate Tvarkyklės Automotive 5A/5A dua l-channel gate driv 4 078Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 001

EPC GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 4 984Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6 457Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

EPC GaN FET eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA 11 391Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 5 842Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 1 962Prieinamumas
15 000Tikėtina 2026-09-02
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 7 251Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500


Infineon Technologies Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS 6 947Prieinamumas
9 000Tikėtina 2026-09-08
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 500

Nexperia GaN FET GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121 510Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Nexperia GaN FET GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7 2 091Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Qorvo RF Stiprintuvas 20W, 17.3-21.2 GHz PA
10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Qorvo GaN FET 30W, DC - 6GHz 43Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 50

Power Integrations Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 100W 900V 1 602Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Power Integrations Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 85W 900V 1 024Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Power Integrations Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 90 W (85-264 VAC) 1 740Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Power Integrations Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 135 W (85-264 VAC) 1 423Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Power Integrations Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 220 W (85-264 VAC) 1 186Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8 17 968Prieinamumas
10 000Tikėtina 2026-12-04
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4 14 202Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6 10 815Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Qorvo RF Stiprintuvas 13.75-14.5GHz, 50W PA CP Pkg
27Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Qorvo RF Stiprintuvas 32-38 GHz 0.5W MMIC Driver, AC-PHS
43Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1