GaN Puslaidininkiai

Rezultatai: 723
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5 2 537Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5 2 657Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4 511Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4 825Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4 719Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 1 148Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 1 485Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 873Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 477Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 468Prieinamumas
1 600Tikėtina 2026-09-04
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 613Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5 1 528Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5 1 519Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Nexperia GaN FET GANE190-700BBA/SOT428/DPAK 2 384Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Nexperia GaN FET GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22 1 460Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Nexperia GaN FET GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060 1 860Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Nexperia GaN FET GANE350-700BBA/SOT428/DPAK 2 330Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Power Integrations Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 20 W (85-580 VAC) 1 799Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Allegro MicroSystems Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės FULLY INTEGRATED HV GATE DRIVER WITH UNIPOLAR OUTPUT 4 235Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN 6 159Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm 14 040Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 11 250Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 14 113Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Qorvo GaN FET 30W, DC - 6GHz, Flanged 90Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 50

Power Integrations Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 85 W (85-265 VAC) 1 889Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000