GaN Puslaidininkiai

Rezultatai: 723
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS
Texas Instruments Gate Tvarkyklės 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
Duomenų Lapas
1 800Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Bidirectional Switch
Duomenų Lapas
2 834Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000
onsemi GaN FET GaN FET, 700V, 132m, DPAK
Duomenų Lapas
2 490Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 249
: 250

EPC Gate Tvarkyklės Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
Duomenų Lapas
6 984Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
Duomenų Lapas
14 230Prieinamumas
6 000Tikėtina 2026-09-10
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
3 942Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-12-14
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Nexperia GaN FET GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Duomenų Lapas
2 409Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Qorvo RF Stiprintuvas 20W, 17.3-21.2 GHz PA-die
5Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Nexperia GaN FET GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Duomenų Lapas
2 071Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

STMicroelectronics Gate Tvarkyklės High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
Duomenų Lapas
461Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
Duomenų Lapas
1 865Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 300

Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
Duomenų Lapas
1 195Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
Duomenų Lapas
1 494Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Texas Instruments Gate Tvarkyklės
Duomenų Lapas
1 232Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Texas Instruments Gate Tvarkyklės 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ
Duomenų Lapas
1 997Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Texas Instruments Gate Tvarkyklės 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri
Duomenų Lapas
223Prieinamumas
5 000Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Texas Instruments Gate Tvarkyklės
Duomenų Lapas
1 997Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 001
: 2 000

Texas Instruments Gate Tvarkyklės 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
Duomenų Lapas
2 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Texas Instruments Gate Tvarkyklės 650V 270mohm GaN FET with integrated dri
Duomenų Lapas
2 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
Duomenų Lapas
2 036Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
Duomenų Lapas
2 182Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
Duomenų Lapas
3 461Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Infineon Technologies GaN FET Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
Duomenų Lapas
2 970Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
2 133Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
979Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000