Microchip SiC MOSFET

Rezultatai: 119
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268
Duomenų Lapas
242Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 59 A 35 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 178 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247
Duomenų Lapas
44Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 149 A 19 mOhms - 10 V, + 25 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247
Duomenų Lapas
114Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247
Duomenų Lapas
9Prieinamumas
180Tikėtina 2026-03-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 50 mOhms - 10 V, + 25 V 1.8 V 140 nC - 55 C + 175 C 311 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247
Duomenų Lapas
136Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 39 A 69 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-268
Duomenų Lapas
144Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 37 A 69 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
Duomenų Lapas
17Prieinamumas
120Tikėtina 2026-04-02
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 80 mOhms - 10 V, + 23 V 2.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-268
Duomenų Lapas
63Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 100 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247
Duomenų Lapas
158Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 28 A 111 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 38 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-268
Duomenų Lapas
73Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 180 mOhms
Microchip Technology SiC MOSFET 1200V, 360mOhms N-Channel mSiC MOSFET
Duomenų Lapas
20Prieinamumas
150Tikėtina 2026-03-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1.2 kV 360 mOhms
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247-4
Duomenų Lapas
296Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1.7 kV 750 mOhms
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268
Duomenų Lapas
45Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 4.4 A 750 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-268
Duomenų Lapas
23Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 89 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 232 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
Duomenų Lapas
55Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 39 A 75 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247
Duomenų Lapas
592Tikėtina 2026-03-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5 A 750 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 3300V 400 mOhm TO-247-4L-Notch
Duomenų Lapas
300Tikėtina 2026-03-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 3.3 kV 11 A 520 mOhms - 10 V, + 23 V 2.97 V 37 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-268
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 4 Savaičių
Min.: 180
Daugkart.: 30

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 25 A 111 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 38 nC - 55 C + 175 C 91 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 120
Daugkart.: 30

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1.2 kV 180 mOhms
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm TO-268
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 120
Daugkart.: 30

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 360 mOhms
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-263-7L XL
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 4 Savaičių
Min.: 200
Daugkart.: 100

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 700 V 51 A 75 mOhms - 10 V, 23 V 5 V 56 nC - 55 C + 175 C 240 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-263-7L XL
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 4 Savaičių
Min.: 100
Daugkart.: 100

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 100 mOhms - 10 V, 23 V 5 V 64 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 90 mOhm PSMT
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 11 Savaičių
Min.: 200
Daugkart.: 100
Reel: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 700 V 32 A 112 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-263-7L XL
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 4 Savaičių
Min.: 200
Daugkart.: 100

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 700 V 34 A 112 mOhms - 10 V, 23 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm PSMT
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 11 Savaičių
Min.: 100
Daugkart.: 100
Reel: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 225 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 36 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement