Microchip SiC MOSFET

Rezultatai: 119
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
Duomenų Lapas
150Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
Duomenų Lapas
258Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 232 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-268
Duomenų Lapas
98Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 65 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 206 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268
Duomenų Lapas
44Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 50 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 137 nC - 55 C + 175 C 303 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-268
Duomenų Lapas
23Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 89 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 232 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
Duomenų Lapas
67Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 40 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 137 nC - 55 C + 175 C 323 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
Duomenų Lapas
115Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 24 mOhms - 10 V, 21 V 3 V 136 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
Duomenų Lapas
65Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 33 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 109 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch
Duomenų Lapas
115Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 40 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 91 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
Duomenų Lapas
115Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Thorugh Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 53 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 256 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
Duomenų Lapas
120Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 60 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 61 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
Duomenų Lapas
117Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 80 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 45 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
Duomenų Lapas
81Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 107 mOhms - 10 V, + 21 V 5 V 34 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch
Duomenų Lapas
310Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247-4 Notch
Duomenų Lapas
20Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 119 A 22 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 194 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
Duomenų Lapas
23Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 113 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 232 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247-4 Notch
Duomenų Lapas
79Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 75 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 93 nC - 55 C + 175 C 304 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
Duomenų Lapas
58Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 71 A 50 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 137 nC - 55 C + 175 C 371 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-268
Duomenų Lapas
91Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
Duomenų Lapas
142Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 113 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 232 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
Duomenų Lapas
90Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 68 A 45 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247
Duomenų Lapas
238Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 100 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247-4
Duomenų Lapas
312Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1.7 kV 750 mOhms
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247-4
Duomenų Lapas
42Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 113 A 17.6 mOhms - 10 V, + 23 V 2.7 V - 55 C + 175 C 455 W
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4
Duomenų Lapas
318Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 68 A 35 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 178 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement