Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

MSC080SMB120B4N

Name: Microchip MSC080SMB120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC080SMB120B4N
Price: 5.4 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

579-MSC080SMB120B4N

Mfr. #:

MSC080SMB120B4N

Gam.:

Microchip Technology

Aprašymas:

SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

MSC080SMB120B4N Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Microchip Technology MSC080SMB120B4N

Prieinamumas: 81

Turime sandėlyje:: 81 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 3 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	5,40 €	5,40 €
	4,98 €	149,40 €
	4,33 €	519,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Microchip
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	30 A
RDS On - Drain-Source Varža:	107 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 21 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	5 V
Qg – vartų krūvis:	34 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	161 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Rudens laikas:	8 ns
Pakavimas:	Tube
Gaminys:	SiC MOSFETS
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	8 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipas:	MOSFET
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	17 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	11 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

MSC080SMB120B4N Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-1-9 (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

ECCN:: EAR99

1200V SIC MOSFETs

Microchip Technology 1200V SIC MOSFETs offer high efficiency in a lighter, more compact solution. The devices supply low internal gate resistance (ESR), resulting in a fast switching speed. The MOSFETs are simple to drive and easy to parallel, with improved thermal capabilities and lower switching losses.