Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

MSC035SMA070B

Name: Microchip MSC035SMA070B
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC035SMA070B
Price: 9.06 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

494-MSC035SMA070B

Mfr. #:

MSC035SMA070B

Gam.:

Microchip Technology

Aprašymas:

SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247

Peržiūrėti Kūrimo Įrankių Pasirinkimo Programoje

Duomenų Lapas:

MSC035SMA070B Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Microchip Technology MSC035SMA070B

Prieinamumas: 114

Turime sandėlyje:: 114 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 8 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	9,06 €	9,06 €
	8,36 €	250,80 €
	7,28 €	873,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Microchip
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	700 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	77 A
RDS On - Drain-Source Varža:	44 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	1.9 V
Qg – vartų krūvis:	99 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	283 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Pakavimas:	Tube
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Vieneto Svoris:	6 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

MSC035SMA070B Duomenų Lapas (PDF)

DTS

Peržiūrėti Kūrimo Įrankių Pasirinkimo Programoje

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer superior dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power MOSFETs. These MOSFETs have low capacitances, low gate charge, fast switching speed, and good avalanche ruggedness. The SiC MOSFETs can stabilize operation at 175°C high junction temperature. These MOSFETs provide high efficiency with low switching losses. The SiC MOSFETs do not require any freewheeling diodes. Typical applications include smart grid transmission and distribution, induction heating and welding, and power supply and distribution.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.