.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

IXYS SiC MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 29

Taikyti filtrai:

Gamintojas = IXYS

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Tranzistoriaus poliškumas

Kanalų skaičius

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Minimali darbinė temperatūra

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Kanalas Mode

Prekinis pavadinimas

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Dalies Nr.

SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH65N120L2KHV
IXYS
1: 8,62 €
100Prieinamumas
450Tikėtina 2026-06-02
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSH65N120L2KHV

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH65N120L2KHV

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

100Prieinamumas

450Tikėtina 2026-06-02

8,62 €

6,54 €

5,44 €

4,85 €

4,33 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

52 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

IXSA65N120L2-7TR
IXYS
1: 8,61 €
78Prieinamumas
800Tikėtina 2026-06-02
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSA65N120L2-7TR

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSA65N120L2-7TR

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

78Prieinamumas

800Tikėtina 2026-06-02

Pjaunama Juosta

8,61 €

6,36 €

4,73 €

4,02 €

Ritė

4,02 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

53 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

SiC MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET

LSIC1MO120E0080
IXYS
1: 16,21 €
4 196Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
LSIC1MO120E0080

„Mouser“ Dalies Nr.
576-LSICMO120E0080

IXYS

SiC MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

4 196Prieinamumas

16,21 €

13,40 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

39 A

80 mOhms

- 5 V, + 20 V

2.8 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

SiC MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet

LSIC1MO120E0160
IXYS
1: 10,14 €
548Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
LSIC1MO120E0160

„Mouser“ Dalies Nr.
576-LSIC1MO120E0160

IXYS

SiC MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

548Prieinamumas

10,14 €

7,05 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

22 A

200 mOhms

- 5 V, + 20 V

1.8 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SiC MOSFET TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC

LSIC1MO170E0750
IXYS
1: 7,14 €
1 927Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
LSIC1MO170E0750

„Mouser“ Dalies Nr.
576-LSIC1MO170E0750

IXYS

SiC MOSFET TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 927Prieinamumas

7,14 €

4,19 €

3,69 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

6.2 A

1 Ohms

- 5 V, + 20 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL

IXSG110N65L2K
IXYS
1: 9,56 €
2 090Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSG110N65L2K

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSG110N65L2K

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

2 090Prieinamumas

Pjaunama Juosta

9,56 €

7,30 €

6,09 €

5,53 €

Ritė

4,60 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 2 000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

111 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

SiC MOSFET TO247 1.2KV 50A N-CH SIC

LSIC1MO120G0040
IXYS
1: 23,62 €
431Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
LSIC1MO120G0040

„Mouser“ Dalies Nr.
576-LSIC1MO120G0040

IXYS

SiC MOSFET TO247 1.2KV 50A N-CH SIC

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

431Prieinamumas

23,62 €

17,25 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

70 A

50 mOhms

- 5 V, + 20 V

4 V

175 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA110N65L2-7TR
IXYS
1: 9,56 €
900Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSA110N65L2-7TR

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSA110N65L2-7TR

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

900Prieinamumas

Pjaunama Juosta

9,56 €

7,30 €

6,09 €

5,31 €

Ritė

4,60 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

650 V

111 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA40N65L2-7TR
IXYS
1: 6,33 €
900Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSA40N65L2-7TR

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSA40N65L2-7TR

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

900Prieinamumas

Pjaunama Juosta

6,33 €

4,47 €

3,72 €

3,32 €

Ritė

2,95 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA60N65L2-7TR
IXYS
1: 7,89 €
900Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSA60N65L2-7TR

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSA60N65L2-7TR

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

900Prieinamumas

Pjaunama Juosta

7,89 €

5,74 €

4,79 €

4,27 €

Ritė

3,79 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH100N65L2KHV
IXYS
1: 9,74 €
550Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSH100N65L2KHV

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH100N65L2KHV

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

550Prieinamumas

9,74 €

7,48 €

5,44 €

4,72 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

650 V

99 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

454 W

Enhancement

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH20N120L2KHV
IXYS
1: 5,07 €
550Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSH20N120L2KHV

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH20N120L2KHV

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

550Prieinamumas

5,07 €

3,83 €

3,10 €

2,74 €

2,35 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

208 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV

IXSH40N65L2KHV
IXYS
1: 6,46 €
550Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSH40N65L2KHV

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH40N65L2KHV

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

550Prieinamumas

6,46 €

4,56 €

3,80 €

3,38 €

3,01 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

SiC MOSFET 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

IXSJ25N120R1
IXYS
1: 11,82 €
402Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSJ25N120R1

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSJ25N120R1

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

402Prieinamumas

11,82 €

8,82 €

7,63 €

7,22 €

6,14 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

81 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

52 nC

- 40 C

+ 150 C

75.3 W

Enhancement

SiC MOSFET 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

IXSJ43N120R1
IXYS
1: 16,04 €
478Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSJ43N120R1

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSJ43N120R1

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

478Prieinamumas

16,04 €

12,84 €

11,10 €

Pasiūlymas

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

45 A

47 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

79 nC

- 40 C

+ 150 C

142 W

Enhancement

SiC MOSFET 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

IXSJ80N120R1
IXYS
1: 26,17 €
483Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSJ80N120R1

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSJ80N120R1

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

483Prieinamumas

26,17 €

21,87 €

19,13 €

Pasiūlymas

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

85 A

22.5 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

154 nC

- 40 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

SiC MOSFET SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini

IXFN27N120SK
IXYS
1: 46,32 €
14Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IXFN27N120SK

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN27N120SK

IXYS

SiC MOSFET SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini

Duomenų Lapas

14Prieinamumas

46,32 €

38,09 €

33,79 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT

HiPerFET

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263

IXSA20N120L2-7TR
IXYS
1: 5,31 €
76Prieinamumas
800Tikėtina 2026-02-16
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSA20N120L2-7TR

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSA20N120L2-7TR

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

76Prieinamumas

800Tikėtina 2026-02-16

Pjaunama Juosta

5,31 €

4,08 €

3,29 €

2,92 €

Ritė

2,50 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

208 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL

IXSG40N65L2K
IXYS
1: 6,38 €
76Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-02-16
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSG40N65L2K

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSG40N65L2K

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

76Prieinamumas

2 000Tikėtina 2026-02-16

Pjaunama Juosta

6,38 €

4,33 €

3,27 €

3,10 €

Ritė

2,77 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 2 000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL

IXSG60N65L2K
IXYS
1: 7,77 €
80Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-02-16
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSG60N65L2K

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSG60N65L2K

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

80Prieinamumas

2 000Tikėtina 2026-02-16

Pjaunama Juosta

7,77 €

5,65 €

4,70 €

4,20 €

3,73 €

Ritė

3,73 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 2 000

SMD/SMT

TTOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV

IXSH60N65L2KHV
IXYS
1: 7,78 €
100Prieinamumas
450Tikėtina 2026-03-23
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSH60N65L2KHV

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH60N65L2KHV

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

100Prieinamumas

450Tikėtina 2026-03-23

7,78 €

5,79 €

4,82 €

4,30 €

3,83 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

IXSA40N120L2-7TR
IXYS
1: 7,08 €
795Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSA40N120L2-7TR

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSA40N120L2-7TR

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

795Prieinamumas

Pjaunama Juosta

7,08 €

7,07 €

6,79 €

Ritė

6,79 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

104 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

IXSA80N120L2-7TR
IXYS
1: 10,32 €
760Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSA80N120L2-7TR

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSA80N120L2-7TR

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

760Prieinamumas

Pjaunama Juosta

10,32 €

8,40 €

6,58 €

6,24 €

Ritė

6,04 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

79 A

39 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH40N120L2KHV
IXYS
1: 7,48 €
408Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSH40N120L2KHV

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH40N120L2KHV

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

408Prieinamumas

7,48 €

7,19 €

7,05 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

104 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH80N120L2KHV
IXYS
1: 10,71 €
392Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IXSH80N120L2KHV

„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH80N120L2KHV

Naujas Produktas

IXYS

SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

392Prieinamumas

10,71 €

8,72 €

7,27 €

6,47 €

6,05 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

79 A

39 mOhms

- 5 V, + 20 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

IXYS SiC MOSFET

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba