Tube MOSFETs

Rezultatai: 4 965
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Duomenų Lapas
186Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 40 V 600 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 590 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
Duomenų Lapas
72Prieinamumas
300Tikėtina 2026-09-08
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 240 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 546 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement LinearL2 Tube
IXYS MOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds
Duomenų Lapas
1 091Prieinamumas
280Tikėtina 2026-10-20
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 20 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 11.3 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 24A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
586Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 360Amps 55V
Duomenų Lapas
390Prieinamumas
300Tikėtina 2026-08-06
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
Panjit MOSFETs 600V 120mohm 30A Easy to driver SJ MOSFET
Duomenų Lapas
1 472Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 4th Gen, Fast Recover
Duomenų Lapas
1 943Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 114 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A
Duomenų Lapas
66Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 44 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 264 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-263D2
Duomenų Lapas
881Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 355 W Enhancement Linear L2 Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 4th Gen, Fast Recover
Duomenų Lapas
2 003Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 153 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 4th Gen, Fast Recover
Duomenų Lapas
1 969Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 153 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Fast Switch
Duomenų Lapas
600Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 55A 4th Gen, Fast Recover
Duomenų Lapas
567Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 71 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 99 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs IPD MOSFET IC WSON10 PD=1.84W VDD=26V
Duomenų Lapas
1 772Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT WSON-10 N-Channel 1 Channel - 40 C + 125 C 1.84 W Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
Duomenų Lapas
920Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43.6 nC - 65 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Channel 650V Pwr Mosfet
Duomenų Lapas
938Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15.5 A 270 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
Duomenų Lapas
795Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 33 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
Duomenų Lapas
3 183Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 2.63 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Duomenų Lapas
1 092Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 87 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 56.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
Duomenų Lapas
4 437Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 85 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V MDMesh
Duomenų Lapas
708Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
Duomenų Lapas
1 406Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
Duomenų Lapas
1 008Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 99 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
Duomenų Lapas
1 935Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.2 A 1.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
Duomenų Lapas
2 414Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube