Tube MOSFETs

Rezultatai: 4 966
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Duomenų Lapas
411Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
Duomenų Lapas
299Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 30 V 62 A 35 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 112 nC - 55 C + 150 C 321 mW Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor MOSFETs SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
Duomenų Lapas
2 102Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Duomenų Lapas
1 901Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 26 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 295 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
Duomenų Lapas
6 774Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 108 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
Duomenų Lapas
13 277Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 34 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement UniFET Tube

onsemi MOSFETs SF3 650V 50MOHM
Duomenų Lapas
1 908Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 125 nC - 55 C + 150 C 378 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFETs 500V 20A NCH MOSFET
Duomenų Lapas
7 438Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 59.5 nC - 55 C + 150 C 38.5 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
Duomenų Lapas
10 888Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 1.45 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 225 W Enhancement QFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-247AD
Duomenų Lapas
273Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 1.4 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 88 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
Duomenų Lapas
16 463Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 250 V 59 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 392 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Duomenų Lapas
726Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
Duomenų Lapas
10 843Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Tube

IXYS MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Rds
Duomenų Lapas
3 266Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Duomenų Lapas
1 542Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Low Noise
Duomenų Lapas
5 829Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 155 C 68 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Duomenų Lapas
2 785Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 148 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 35A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
6 655Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 42 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263
Duomenų Lapas
17 394Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs 200V 57A 300W
Duomenų Lapas
8 374Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 57 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 130 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
Duomenų Lapas
17 945Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.1 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs SUPERFET3 650V
Duomenų Lapas
9 640Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 58 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs SuperFET2 800V
Duomenų Lapas
1 485Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 58 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
Duomenų Lapas
4 424Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
Duomenų Lapas
3 894Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube