Tube IGBT

Rezultatai: 1 404
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Pakuotė / Korpusas
Montavimo stilius
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Didžiausia vartų emiterio įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Kvalifikacija
Pakavimas
IXYS IGBT 650V/130A XPT C3-Class TO-220
Duomenų Lapas
581Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 132 A 600 W - 55 C + 175 C IXYP50N65 Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 1200V 15A TRNCH
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
547Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 395 W Through Hole TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
397Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 50 A 395 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBT 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Duomenų Lapas
334Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 80 A 555 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Duomenų Lapas
448Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 72 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Duomenų Lapas
1 135Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.1 V - 20 V, 20 V 100 A 536 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 L5 Tube
IXYS IGBT BIMOSFETS 1700V 60A
Duomenų Lapas
219Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 250 W - 55 C + 150 C IXBH24N170 Tube

IXYS IGBT 32 Amps 1200V
Duomenų Lapas
295Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.35 V - 20 V, 20 V 75 A 300 W - 55 C + 150 C IXGH32N120 Tube

IXYS IGBT 50 Amps 900V 2.7 Rds
Duomenų Lapas
291Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGH50N90 Tube
IXYS IGBT TO247 2500V 16A IGBT
Duomenų Lapas
287Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247HV-3 Through Hole Single 2.5 kV 4 V - 20 V, 20 V 38 A 500 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
Duomenų Lapas
374Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 130 A 600 W - 55 C + 175 C IXYH50N65 Tube
IXYS IGBT XPT IGBT C3-Class 1200V/160A
Duomenų Lapas
330Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 200 A 1.25 kW - 55 C + 150 C IXYH82N120 Tube
ROHM Semiconductor IGBT 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
Duomenų Lapas
968Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-220NFM-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 21 A 47 W - 40 C + 175 C Tube

onsemi IGBT FS3 T TO247 40A 65
Duomenų Lapas
2 142Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 267 W - 55 C + 175 C AFGHL40T65SPD AEC-Q101 Tube

onsemi IGBT 650V50A FS4 IGBT TO-247LL
Duomenų Lapas
698Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C AFGHL50T65SQD AEC-Q101 Tube

onsemi IGBT 650V/30A FS4 SCR IGBT T0247-3L AUTOMOTIVE
Duomenų Lapas
386Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.57 V - 20 V, 20 V 42 A 230.8 W - 55 C + 175 C AFGHL30T65RQDN Tube

Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 35 A TO-247
Duomenų Lapas
107Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 96 A 543 W - 55 C + 150 C Tube


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
Duomenų Lapas
598Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 115 A 357 W - 55 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Duomenų Lapas
376Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 S5 Tube

IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Duomenų Lapas
281Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 50 A 250 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube

IXYS IGBT 50 Amps 1700V 3.3 V Rds
Duomenų Lapas
199Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 50 A 250 W - 55 C + 150 C IXGH24N170 Tube

IXYS IGBT GenX3 600V IGBT
Duomenų Lapas
2 135Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 92 A 250 W - 55 C + 150 C IXGH36N60 Tube
IXYS IGBT 20 Amps 1700 V 7 V Rds
Duomenų Lapas
565Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 10 A 140 W - 55 C + 150 C IXGT10N170 Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 40A GENX3
Duomenų Lapas
226Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single Planar Tube
IXYS IGBT TO264 1200V 110A GENX4
Duomenų Lapas
148Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube