Tube IGBT

Rezultatai: 1 403
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Pakuotė / Korpusas
Montavimo stilius
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Didžiausia vartų emiterio įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Kvalifikacija
Pakavimas
IXYS IGBT 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220
Duomenų Lapas
391Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-220-3L Through Hole Single 650 V 1.27 V 20 V 130 A 326 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
Duomenų Lapas
85Prieinamumas
300Tikėtina 2026-07-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-263AB-2 SMD/SMT Single 650 V 1.67 V 20 V 110 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-263-2L SMD/SMT Single 650 V 1.27 V 20 V 130 A 326 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
Duomenų Lapas
80Prieinamumas
300Tikėtina 2026-07-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-263-2L SMD/SMT Single 650 V 1.3 V 20 V 122 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
Duomenų Lapas
76Prieinamumas
300Tikėtina 2026-08-10
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.68 V 20 V 230 A 750 W - 55 C + 175 C Trench Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Duomenų Lapas
348Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Duomenų Lapas
721Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube

onsemi IGBT 650V40A FS4 IGBT TO-247LL
Duomenų Lapas
6 788Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 238 W - 55 C + 175 C AFGHL40T65SQD AEC-Q101 Tube
Vishay Semiconductors IGBT Modules IGBT - SOT-227 IGBT
Duomenų Lapas
536Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Screw Mount Single 1.2 kV 2.17 V - 20 V, 20 V 169 A 781 W - 40 C + 150 C Tube
Vishay Semiconductors IGBT SOT-227-LOW SIDE CHOPPER IGBT
Duomenų Lapas
238Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Screw Mount Single 1.2 kV 2.39 V - 20 V, 20 V 68 A 291 W - 40 C + 150 C Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Duomenų Lapas
1 594Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
IXYS IGBT 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
Duomenų Lapas
448Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-PLUS-HV-3 Through Hole Single 3.6 kV 2.9 V - 20 V, 20 V 125 A 660 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT IXYX50N170C
Duomenų Lapas
820Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.7 V - 20 V, 20 V 178 A 1.5 kW - 55 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Duomenų Lapas
700Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
ROHM Semiconductor IGBT Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Duomenų Lapas
840Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 85 A 277 W - 40 C + 175 C Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
Duomenų Lapas
2 921Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 480 A 1.5 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT SMPDB 3KV 22A IGBT
Duomenų Lapas
287Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT Quad 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 150 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBT BIMOSFET 1700V 75A
Duomenų Lapas
3 219Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBT42N170 Tube
IXYS IGBT HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A
Duomenų Lapas
357Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.7 kV 3 V - 20 V, 20 V 170 A 830 W - 55 C + 150 C IXGK100N170 Tube
IXYS IGBT 2500V/95A , HV XPT IGBT
Duomenų Lapas
768Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-PLUS-HV-3 Through Hole Single 2.5 kV 4 V - 20 V, 20 V 95 A 937 W - 55 C + 175 C High Voltage Tube
IXYS IGBT Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO247
Duomenų Lapas
1 397Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 300 A 1.15 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT BIMOSET 42A 1700V
Duomenų Lapas
297Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 42 A 357 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-Hi Voltage TO-247AD
Duomenų Lapas
287Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247HV-3 Through Hole Single 2.5 kV 4 V - 20 V, 20 V 38 A 500 W - 55 C + 175 C Tube

onsemi IGBT FS3 TIGBT Excellent switching performan
Duomenų Lapas
502Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 455 W - 55 C + 175 C FGH75T65SHDTL4 Tube

onsemi IGBT 650V FS4 Trench IGBT
Duomenų Lapas
403Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65SQDTL4 Tube