Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

RGW60TK65DGVC11

Name: ROHM Semiconductor RGW60TK65DGVC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGW60TK65DGVC11
Price: 5.64 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-RGW60TK65DGVC11

Mfr. #:

RGW60TK65DGVC11

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

IGBT 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

Duomenų Lapas:

RGW60TK65DGVC11 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor RGW60TK65DGVC11

Prieinamumas: 448

Turime sandėlyje:: 448 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 22 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	5,64 €	5,64 €
	3,67 €	36,70 €
	3,39 €	339,00 €
	2,67 €	1 201,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologijos:	Si
Pakuotė / Korpusas:	TO-3PFM-3
Montavimo stilius:	Through Hole
Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa:	1.9 V
Didžiausia vartų emiterio įtampa:	30 V
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C:	33 A
Pd - skaidos galia:	72 W
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė:	200 nA
Gaminio tipas:	IGBT Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis:	450
Subkategorija:	IGBTs
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	RGW60TK65D

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

RGW60TK65DGVC11 Duomenų Lapas (PDF)

Other

Specification Sheets

Technical Resources

Test/Quality Data

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RGW 650V Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGW 650V Field Stop Trench IGBTs offer a low collector-emitter saturation voltage in a small package. The RGW IGBTs feature high-speed switching, low switching loss, and built-in very fast and soft recovery FRD. The ROHM RGW 650V Field Stop Trench IGBTs are ideal for solar inverter, UPS, welding, IH, and PFC applications.

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.