Rezultatai: 7
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Prekinis pavadinimas Pakavimas
onsemi MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm 4 573Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM 1 269Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 259 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFETs SF3 FRFET 650V 82MOHM 2 279Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL 450Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFETs SuperFET3 650V 70mOhm 1 082Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFETs 650V N-Channel SuperFET III MOSFET 125Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 222 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET 1 182Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Tube