Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NTHL082N65S3F

Name: onsemi NTHL082N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL082N65S3F
Price: 8.84 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NTHL082N65S3F

Mfr. #:

NTHL082N65S3F

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL

Duomenų Lapas:

NTHL082N65S3F Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NTHL082N65S3F

Prieinamumas: 450

Turime sandėlyje:: 450 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 17 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	8,84 €	8,84 €
	5,41 €	54,10 €
	5,19 €	519,00 €
	4,65 €	2 092,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	40 A
RDS On - Drain-Source Varža:	82 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 30 V, 30 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	5 V
Qg – vartų krūvis:	81 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	313 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	SuperFET III
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Single
Rudens laikas:	5 ns
Tiesioginis laidumas - min:	24 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	27 ns
Serija:	SuperFET3
Gamyklinės pakuotės kiekis:	450
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	79 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	27 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	6 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NTHL082N65S3F Duomenų Lapas

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Solutions for Energy Infrastructure

onsemi Solutions for Energy Infrastructure address the landscape for energy generation, distribution, and storage that is rapidly evolving to fulfill targets set by government policy and increasing consumption. Heightened efficiency targets, reductions of CO2 emissions, and a focus on renewable and clean energy are key factors in this Energy Infrastructure Evolution. onsemi offers a comprehensive portfolio of energy efficient solutions to serve the demanding needs of high-power applications including Silicon Carbide (SiC) Diodes, Intelligent Power Modules, and Current Sense Amplifiers.

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.