|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET
- FS01M5R12A7MA2BHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
1 061,20 €
-
2Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS01M5R12A7MA2BH
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET
|
|
2Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Module
|
|
SiC
|
4.46 V
|
|
- 5 V, + 19 V
|
Press Fit
|
HybridPACK
|
- 40 C
|
+ 185 C
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 2000 V, 60 A Boost EasyPACK 3B CoolSiC MOSFET Module
- DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
207,22 €
-
10Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-419MR20W3M1HFB11
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 2000 V, 60 A Boost EasyPACK 3B CoolSiC MOSFET Module
|
|
10Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
DF419MR20W3M1HFB11
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 224 Amps 2000V
- MCD224-20IO1
- IXYS
-
1:
263,26 €
-
90Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-MCD224-20IO1
|
IXYS
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 224 Amps 2000V
|
|
90Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Phase Leg
|
Si
|
1.4 V
|
2 kV
|
|
Screw Mount
|
Y1-CU
|
- 40 C
|
+ 130 C
|
MCD224
|
Bulk
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai THYR / DIODE MODULE DK
- TD590N18KOFXPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
218,45 €
-
7Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-TD590N18KOFXPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai THYR / DIODE MODULE DK
|
|
7Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Thyristor-Diode Modules
|
|
Si
|
|
|
|
Screw Mount
|
|
- 40 C
|
+ 135 C
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC 1200 V 8 mOhm Trench MOSFET in EasyDUAL
- FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
87,71 €
-
60Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF8MR12W1M1HS4PB
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC 1200 V 8 mOhm Trench MOSFET in EasyDUAL
|
|
60Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 20A, SiC Six pack Module GEN 3
- CBB021M12FM3
- Wolfspeed
-
1:
102,02 €
-
18Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CBB021M12FM3
|
Wolfspeed
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 20A, SiC Six pack Module GEN 3
|
|
18Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC Modules
|
Full Bridge
|
SiC
|
4.9 V
|
1.2 kV
|
- 8 V, + 19 V
|
Screw Mount
|
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
WolfPACK
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai THYR / DIODE MODULE DK
- TD430N22KOFXPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
321,72 €
-
2Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-TD430N22KOFXPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai THYR / DIODE MODULE DK
|
|
2Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Thyristor-Diode Modules
|
|
Si
|
|
|
|
Screw Mount
|
144 mm x 60 mm x 52 mm
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 100A 600V SCR CC MODULE POWER
- M5010012
- Crydom
-
1:
127,08 €
-
12Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
558-M5010012
|
Crydom
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 100A 600V SCR CC MODULE POWER
|
|
12Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SCR-Diode Modules
|
SCR Module
|
Si
|
1.2 V
|
600 V
|
|
Screw Mount
|
Module
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
M50
|
Bulk
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-D3
- MSCSM120AM042CD3AG
- Microchip Technology
-
1:
565,67 €
-
5Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-120AM042CD3AG
|
Microchip Technology
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-D3
|
|
5Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
MOSFET-SiC SBD Modules
|
MOSFET / SiC SBD
|
SiC
|
1.5 V
|
1.2 kV
|
- 10 V, + 25 V
|
Screw Mount
|
D3
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
|
Bulk
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai L#T-BOND MODULE
- TD120N16SOFHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
26,08 €
-
176Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-TD120N16SOFHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai L#T-BOND MODULE
|
|
176Prieinamumas
|
|
|
26,08 €
|
|
|
18,97 €
|
|
|
18,41 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Thyristor-Diode Modules
|
Phase Control
|
Si
|
|
1.6 kV
|
|
Screw Mount
|
SB20
|
- 40 C
|
+ 130 C
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
- DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
73,75 €
-
24Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-DF8MR12W1M1HFB67
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
|
|
24Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
- DF14MR12W1M1HFB67BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
63,94 €
-
24Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-DF14MR12W1M1HFB6
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
|
|
24Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 200 Amp 100 Volt 25500 Amp IFSM
- VS-VSKDS403/100
- Vishay Semiconductors
-
1:
52,95 €
-
5Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
844-VSKDS403/100
|
Vishay Semiconductors
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 200 Amp 100 Volt 25500 Amp IFSM
|
|
5Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Rectifier Diode Module
|
Si
|
990 mV
|
100 V
|
|
Screw Mount
|
TO-240AA-3
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
VS-VSKDS
|
Bulk
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
- MSCSM120HM50CT3AG
- Microchip Technology
-
1:
115,87 €
-
2Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-120HM50CT3AG
|
Microchip Technology
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
|
|
2Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
MOSFET-SiC SBD Modules
|
Full Bridge
|
SiC
|
1.5 V
|
1.2 kV
|
- 10 V, + 25 V
|
Screw Mount
|
SP3F
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
|
Bulk
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
- DF17MR12W1M1HFB68BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
47,45 €
-
22Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-DF17MR12W1M1HFB6
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
|
|
22Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
- BSM400C12P3G202
- ROHM Semiconductor
-
1:
969,46 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM400C12P3G202
|
ROHM Semiconductor
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
MOSFET-SiC SBD Modules
|
Silicon Carbide (SiC) Module
|
SiC
|
1.7 V
|
1.2 kV
|
- 4 V, + 22 V
|
Screw Mount
|
Module
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
BSMx
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
- MSC40SM120JCU3
- Microchip Technology
-
1:
33,59 €
-
18Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-MSC40SM120JCU3
|
Microchip Technology
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
|
|
18Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
MOSFET-SiC SBD Modules
|
MOSFET / SiC SBD
|
SiC
|
1.5 V
|
1.2 kV
|
- 10 V, + 25 V
|
Screw Mount
|
SOT-227
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
|
Bulk
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET
- FS01M3R08A8MA2CHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
777,67 €
-
3Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS01M3R08A8MA2CH
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET
|
|
3Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Module
|
|
SiC
|
4.56 V
|
|
- 5 V, + 19 V
|
Press Fit
|
HybridPACK
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
- MSCSM120DAM11CT3AG
- Microchip Technology
-
1:
162,16 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-120DAM11CT3AG
|
Microchip Technology
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
MOSFET-SiC SBD Modules
|
MOSFET / SiC SBD
|
SiC
|
1.5 V
|
1.2 kV
|
- 10 V, + 25 V
|
Screw Mount
|
SP3F
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
|
Bulk
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
- MSCSM120HM31CT3AG
- Microchip Technology
-
1:
172,72 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-120HM31CT3AG
|
Microchip Technology
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
MOSFET-SiC SBD Modules
|
Full Bridge
|
SiC
|
1.5 V
|
1.2 kV
|
- 10 V, + 25 V
|
Screw Mount
|
SP3F
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
|
Bulk
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
- DF16MR12W1M1HFB67BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
52,50 €
-
17Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-DF16MR12W1M1HFB6
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
|
|
17Prieinamumas
|
|
|
52,50 €
|
|
|
47,86 €
|
|
|
43,75 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 44 Amps 1200V
- MCD44-12IO8B
- IXYS
-
1:
30,52 €
-
41Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-MCD44-12IO8B
|
IXYS
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 44 Amps 1200V
|
|
41Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Phase Leg
|
Si
|
1.75 V
|
1.2 kV
|
|
Screw Mount
|
TO-240AA
|
- 40 C
|
+ 100 C
|
MCD44
|
Bulk
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 95 Amps 1200V
- MCD95-12IO1B
- IXYS
-
1:
31,52 €
-
29Prieinamumas
-
36Tikėtina 2026-06-22
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-MCD95-12IO1B
|
IXYS
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 95 Amps 1200V
|
|
29Prieinamumas
36Tikėtina 2026-06-22
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Thyristor / Diode
|
Si
|
1.5 V
|
1.2 kV
|
|
Screw Mount
|
TO-240AA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MCD95
|
Bulk
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai STD THYR/DIODEN DISC
Infineon Technologies V61-14.80MS
- V61-14.80MS
- Infineon Technologies
-
1:
68,51 €
-
15Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-V61-14.80MS
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai STD THYR/DIODEN DISC
|
|
15Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Thyristor-Diode Modules
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai STD THYR/DIODEN DISC
Infineon Technologies V72-14.150M
- V72-14.150M
- Infineon Technologies
-
1:
106,12 €
-
3Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-V72-14.150M
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai STD THYR/DIODEN DISC
|
|
3Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Thyristor-Diode Modules
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|