Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

MSCSM120HM50CT3AG

Name: Microchip MSCSM120HM50CT3AG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-120HM50CT3AG
Price: 115.87 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

494-120HM50CT3AG

Mfr. #:

MSCSM120HM50CT3AG

Gam.:

Microchip Technology

Duomenų Lapas:

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Turime sandėlyje:: 6 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Didesniam nei 6 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	115,87 €	115,87 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Microchip
Gaminio kategorija:	Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai
RoHS:
Gaminys:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipas:	Full Bridge
Technologijos:	SiC
Vf - tiesioginė įtampa:	1.5 V
Vr - atvirkštinė įtampa:	1.2 kV
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 25 V
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	SP3F
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 125 C
Pakavimas:	Bulk
Prekės Ženklas:	Microchip Technology
Rudens laikas:	25 ns
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	55 A
Pd - skaidos galia:	245 W
Gaminio tipas:	Discrete Semiconductor Modules
RDS On - Drain-Source Varža:	50 mOhms
Kilimo Laikas:	30 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1
Subkategorija:	Discrete Semiconductor Modules
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	50 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	30 ns
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	1.8 V