|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
- FS33MR12W1M1HB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
71,22 €
-
18Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS33MR12W1M1HB11
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
|
|
18Prieinamumas
|
|
|
71,22 €
|
|
|
63,84 €
|
|
|
58,96 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF1MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
566,12 €
-
20Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Half Bridge
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF1MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
515,99 €
-
16Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
16Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Half Bridge
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai MEDIUM POWER 62MM
- FF2MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
442,79 €
-
13Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF2MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai MEDIUM POWER 62MM
|
|
13Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
- FF3MR20KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
683,82 €
-
15Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF3MR20KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
|
|
15Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Half Bridge
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
- FF4MR20KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
518,61 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF4MR20KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Half Bridge
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
62 mm C-Series
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai MEDIUM POWER 62MM
- FF6MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
226,64 €
-
9Prieinamumas
-
16Tikėtina 2026-03-12
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF6MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai MEDIUM POWER 62MM
|
|
9Prieinamumas
16Tikėtina 2026-03-12
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HYBRID PACK DRIVE G2 SI
- FS1150R08A8P3LBCHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
390,96 €
-
9Prieinamumas
-
"Mouser Naujiena"
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS1150R08A8P3LBC
"Mouser Naujiena"
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HYBRID PACK DRIVE G2 SI
|
|
9Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
G2
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai THYR / DIODE MODULE DK
- TD590N18KOFXPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
232,29 €
-
7Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-TD590N18KOFXPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai THYR / DIODE MODULE DK
|
|
7Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Thyristor-Diode Modules
|
|
Si
|
|
|
|
Screw Mount
|
|
- 40 C
|
+ 135 C
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V
Infineon Technologies F411MR12W2M1HPB76BPSA1
- F411MR12W2M1HPB76BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
156,42 €
-
14Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F411MR12W2M1HPB7
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V
|
|
14Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V
Infineon Technologies F48MR12W2M1HB70BPSA1
- F48MR12W2M1HB70BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
152,85 €
-
22Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F48MR12W2M1HB70B
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V
|
|
22Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V
Infineon Technologies F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
180,82 €
-
17Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F48MR12W2M1HPB76
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V
|
|
17Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
Infineon Technologies FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
- FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
152,17 €
-
15Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS13MR12W2M1HPB1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
|
|
15Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
- DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
66,48 €
-
39Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-DF11MR12W1M1HFB6
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
|
|
39Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
- FF17MR12W1M1HB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
53,24 €
-
5Prieinamumas
-
24Tikėtina 2026-03-12
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF17MR12W1M1HB11
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
|
|
5Prieinamumas
24Tikėtina 2026-03-12
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Half Bridge
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
- FF17MR12W1M1HB70BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
66,98 €
-
3Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF17MR12W1M1HB70
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
|
|
3Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Half Bridge
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
- FF17MR12W1M1HPB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
58,03 €
-
8Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF17MR12W1M1HPB1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
|
|
8Prieinamumas
|
|
|
58,03 €
|
|
|
50,52 €
|
|
|
46,02 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Half Bridge
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
- FF33MR12W1M1HB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
34,44 €
-
22Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF33MR12W1M1HB11
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
|
|
22Prieinamumas
|
|
|
34,44 €
|
|
|
29,58 €
|
|
|
27,40 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Half Bridge
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
- FF33MR12W1M1HPB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
42,54 €
-
29Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF33MR12W1M1HPB1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
|
|
29Prieinamumas
|
|
|
42,54 €
|
|
|
33,94 €
|
|
|
31,47 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Half Bridge
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V
- FF55MR12W1M1HB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
32,45 €
-
36Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF55MR12W1M1HB11
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V
|
|
36Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Half Bridge
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC 1200 V 8 mOhm Trench MOSFET in EasyDUAL
- FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
85,08 €
-
8Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF8MR12W1M1HS4PB
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC 1200 V 8 mOhm Trench MOSFET in EasyDUAL
|
|
8Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai LOW POWER ECONO
- TDB6HK124N16RRBPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
65,62 €
-
32Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-TDB6HK124N16RRBP
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai LOW POWER ECONO
|
|
32Prieinamumas
|
|
|
65,62 €
|
|
|
61,83 €
|
|
|
53,40 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Thyristor-Diode Modules
|
|
Si
|
|
|
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
- FF2MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
438,24 €
-
2Prieinamumas
-
10Tikėtina 2026-03-19
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF2MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
|
|
2Prieinamumas
10Tikėtina 2026-03-19
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
CoolSiC Trench MOSFET
|
Half Bridge
|
SiC
|
|
|
- 10 V, 23 V
|
Stud Mount
|
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1600V 410A
- TD250N16KOF
- Infineon Technologies
-
1:
148,47 €
-
60Prieinamumas
-
72Tikėtina 2026-02-27
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-TD250N16KOF
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1600V 410A
|
|
60Prieinamumas
72Tikėtina 2026-02-27
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Thyristor-Diode Modules
|
Phase Control
|
Si
|
|
1.6 kV
|
|
Screw Mount
|
TD250
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
TD250N
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1.6KV 9.1KA 5-Pin
- TD330N16KOF
- Infineon Technologies
-
1:
158,46 €
-
67Prieinamumas
-
39Tikėtina 2026-08-07
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-TD330N16KOF
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1.6KV 9.1KA 5-Pin
|
|
67Prieinamumas
39Tikėtina 2026-08-07
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Thyristor-Diode Modules
|
|
Si
|
|
|
|
Screw Mount
|
PB50
|
- 40 C
|
+ 135 C
|
|
Tray
|
|
Lietuva