|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK Drive G2 module
- FS1150R08A8P3CHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
495,29 €
-
3Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS1150R08A8P3CHP
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK Drive G2 module
|
|
3Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Power Modules
|
Drive G2 Module
|
SiC
|
1.76 V
|
400 V
|
|
Press Fit
|
DIP-7
|
- 40 C
|
+ 175 V
|
HybridPACK
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
- FS03MR12A6MA1BBPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
1 792,34 €
-
20Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS03MR12A6MA1BBP
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC Modules
|
|
SiC
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai THYR / DIODE MODULE DK
- TD430N22KOFXPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
260,12 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-TD430N22KOFXPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai THYR / DIODE MODULE DK
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Thyristor-Diode Modules
|
|
Si
|
|
|
|
Screw Mount
|
144 mm x 60 mm x 52 mm
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai THYR / DIODE MODULE DK
- TD370N18KOFHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
183,40 €
-
12Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-TD370N18KOFHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai THYR / DIODE MODULE DK
|
|
12Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Thyristor-Diode Modules
|
|
Si
|
|
|
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 20mm Solder Bond Thyristor/Diode
- TD60N16SOF
- Infineon Technologies
-
1:
26,33 €
-
5Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-TD60N16SOF
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 20mm Solder Bond Thyristor/Diode
|
|
5Prieinamumas
|
|
|
26,33 €
|
|
|
22,01 €
|
|
|
19,24 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Thyristor-Diode Modules
|
Thyristor / Diode
|
Si
|
|
|
|
Screw Mount
|
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and High Current Pin / NTC
- FF3MR20W3M1HH11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
439,32 €
-
13Prieinamumas
-
8Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF3MR20W3M1HH11B
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and High Current Pin / NTC
|
|
13Prieinamumas
8Pagal užsakymą
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
EasyPACK Modules
|
|
SiC
|
4.4 V
|
|
- 10 V, + 23 V
|
Press Fit
|
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai STD THYR/DIODEN DISC
Infineon Technologies V72-14.150M
- V72-14.150M
- Infineon Technologies
-
1:
103,35 €
-
3Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-V72-14.150M
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai STD THYR/DIODEN DISC
|
|
3Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Thyristor-Diode Modules
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai STD THYR/DIODEN DISC
Infineon Technologies V100-35.200N
- V100-35.200N
- Infineon Technologies
-
1:
166,06 €
-
1Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-V100-35.200N
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai STD THYR/DIODEN DISC
|
|
1Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Thyristor-Diode Modules
|
|
Si
|
|
|
|
Screw Mount
|
|
- 40 C
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai STD THYR/DIODEN DISC
Infineon Technologies V61-14.80MS
- V61-14.80MS
- Infineon Technologies
-
1:
57,22 €
-
17Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-V61-14.80MS
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai STD THYR/DIODEN DISC
|
|
17Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Thyristor-Diode Modules
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai STD THYR/DIODEN DISC
Infineon Technologies V50-14.60M
- V50-14.60M
- Infineon Technologies
-
1:
58,12 €
-
6Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-V50-14.60M
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai STD THYR/DIODEN DISC
|
|
6Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Thyristor-Diode Modules
|
|
Si
|
|
|
|
Screw Mount
|
|
- 40 C
|
+ 130 C
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai STD THYR/DIODEN DISC
Infineon Technologies V89-26.300N
- V89-26.300N
- Infineon Technologies
-
1:
167,37 €
-
1Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-V89-26.300N
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai STD THYR/DIODEN DISC
|
|
1Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Thyristor-Diode Modules
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET
- FS01MR08A8MA2CHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
1 042,98 €
-
5Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS01MR08A8MA2CHP
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET
|
|
5Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC MOSFET Modules
|
Bridge Power Module
|
SiC
|
4.64 V
|
|
- 5 V, + 19 V
|
Press Fit
|
|
|
|
HybridPACK
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
- DF17MR12W1M1HFB86BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
65,21 €
-
24Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-DF17MR12W1M1HFB8
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
|
|
24Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
MOSFET Modules
|
|
Si
|
4.2 V
|
1.2 kV
|
- 7 V to + 20 V
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
- F411MR12W3M1HB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
144,02 €
-
4Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F411MR12W3M1HB11
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
4.2 V
|
|
- 10 V, + 23 V
|
Press Fit
|
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HYBRID PACK DRIVE G2 SI
- FS1150R08A8P3LMCHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
495,29 €
-
9Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS1150R08A8P3LMC
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HYBRID PACK DRIVE G2 SI
|
|
9Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
G2
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
- FF8MR12W1M1HB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
96,67 €
-
400Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF8MR12W1M1HB11B
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
|
|
400Prieinamumas
|
|
|
96,67 €
|
|
|
81,21 €
|
|
|
73,19 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Half Bridge
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
- FS01MR08A8MA2LBCHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
852,37 €
-
11Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS01MR08A8MA2LBC
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
|
|
11Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC
|
|
|
|
|
|
|
|
G2
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 2000 V, 60 A Boost EasyPACK 3B CoolSiC MOSFET Module
- DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
201,13 €
-
10Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-419MR20W3M1HFB11
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 2000 V, 60 A Boost EasyPACK 3B CoolSiC MOSFET Module
|
|
10Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
DF419MR20W3M1HFB11
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
- FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
156,03 €
-
16Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF4MR12W2M1HPB11
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
|
|
16Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Half Bridge
|
Si
|
|
|
- 10 V, + 23 V
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai EASY
- FF55MR12W1M1HB70BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
49,99 €
-
48Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF55MR12W1M1HB70
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai EASY
|
|
48Prieinamumas
|
|
|
49,99 €
|
|
|
39,98 €
|
|
|
38,38 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
- FF6MR12W2M1HB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
122,03 €
-
14Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF6MR12W2M1HB11B
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
|
|
14Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Half Bridge
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
- FF8MR12W1M1HB70BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
100,83 €
-
16Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF8MR12W1M1HB70B
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
|
|
16Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Half Bridge
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
- FS33MR12W1M1HB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
71,22 €
-
22Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS33MR12W1M1HB11
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
|
|
22Prieinamumas
|
|
|
71,22 €
|
|
|
63,84 €
|
|
|
58,96 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF1MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
566,12 €
-
20Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Half Bridge
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF1MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
515,99 €
-
16Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
16Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
Half Bridge
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
M1H
|
Tray
|
|
Lietuva