|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK Drive G2 module
- FS1150R08A8P3CHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
495,29 €
-
3Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS1150R08A8P3CHP
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK Drive G2 module
|
|
3Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
Power Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
DIP-7
|
|
|
|
Igbt Moduliai 950 V, 600 A 3-level IGBT module
- F3L600R10W4S7FC22BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
188,66 €
-
11Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-R10W4S7FC22BPSA1
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 950 V, 600 A 3-level IGBT module
|
|
11Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
- FF900R12ME7WB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
190,50 €
-
6Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF900R12ME7WB11B
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
|
|
6Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Silicon Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
- FS03MR12A6MA1BBPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
1 792,34 €
-
20Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS03MR12A6MA1BBP
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
SiC Modules
|
SiC
|
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 50 A PIM IGBT module
- FP50R12N2T7PB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
76,82 €
-
10Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FP50R12N2T7PB111
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 50 A PIM IGBT module
|
|
10Prieinamumas
|
|
|
76,82 €
|
|
|
62,03 €
|
|
|
53,57 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Silicon Modules
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
Infineon Technologies FS100R12N2T7B15BPSA1
- FS100R12N2T7B15BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
66,04 €
-
30Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS100R12N2T7B15B
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
|
|
30Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Silicon Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
- F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
94,65 €
-
25Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F3L8MR12W2M1HPB1
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
|
|
25Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC IGBT Modules
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai LOW POWER ECONO
- FS150R12N2T7B15BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
65,49 €
-
16Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS150R12N2T7B15B
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai LOW POWER ECONO
|
|
16Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Silicon Modules
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai IGBT Module 50A 600V
- FS50R06W1E3_B11
- Infineon Technologies
-
1:
28,14 €
-
264Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FS50R06W1E3_B11
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai IGBT Module 50A 600V
|
|
264Prieinamumas
|
|
|
28,14 €
|
|
|
18,88 €
|
|
|
18,84 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Modules
|
Si
|
SMD/SMT
|
Module
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
- FF600R12KE4PBOSA1
- Infineon Technologies
-
1:
145,30 €
-
65Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF600R12KE4PBOSA
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
|
|
65Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Silicon Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
- FS100R12W2T7BOMA1
- Infineon Technologies
-
1:
58,47 €
-
156Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS100R12W2T7BOMA
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
|
|
156Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Silicon Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 75 A sixpack IGBT module
- FS75R12KE3B9BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
71,35 €
-
25Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS75R12KE3B9BPS1
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 75 A sixpack IGBT module
|
|
25Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Silicon Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
Diodų moduliai LOW POWER ECONO
- DDB6U104N16RRBPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
53,41 €
-
44Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-DDB6U104N16RRBPS
|
Infineon Technologies
|
Diodų moduliai LOW POWER ECONO
|
|
44Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Diode Modules
|
Schottky Diode Modules - SBD
|
SiC
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
- FF600R12KE4EBOSA1
- Infineon Technologies
-
1:
145,30 €
-
18Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF600R12KE4EBOSA
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
|
|
18Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Silicon Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
Tiristorių moduliai THYR / DIODE MODULE DK
- STT1900N16P55XPSA2
- Infineon Technologies
-
1:
401,47 €
-
1Prieinamumas
-
3Tikėtina 2026-02-20
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-STT1900N16P55XP2
|
Infineon Technologies
|
Tiristorių moduliai THYR / DIODE MODULE DK
|
|
1Prieinamumas
3Tikėtina 2026-02-20
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Thyristor Modules
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
Diodų moduliai THYR / DIODE MODULE DK
- DD360N22K
- Infineon Technologies
-
1:
199,67 €
-
36Prieinamumas
-
27Tikėtina 2026-02-20
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-DD360N22K
|
Infineon Technologies
|
Diodų moduliai THYR / DIODE MODULE DK
|
|
36Prieinamumas
27Tikėtina 2026-02-20
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Diode Modules
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai N-CH 1.7KV 930A
- FF650R17IE4
- Infineon Technologies
-
1:
375,28 €
-
6Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF650R17IE4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai N-CH 1.7KV 930A
|
|
6Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Silicon Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
PRIME2
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 1200 A dual IGBT module
- FF1200R12IE5
- Infineon Technologies
-
1:
542,44 €
-
11Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF1200R12IE5
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 1200 A dual IGBT module
|
|
11Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Silicon Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
PrimePACK
|
|
|
|
Tiristorių moduliai 1600V 140A 20MM
- ND89N16K
- Infineon Technologies
-
1:
95,92 €
-
15Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-ND89N16K
|
Infineon Technologies
|
Tiristorių moduliai 1600V 140A 20MM
|
|
15Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Thyristor Modules
|
|
Si
|
Screw Mount
|
ND89
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1700 V, 1800 A dual IGBT module
- FF1800R17IP5BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
802,27 €
-
2Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1800R17IP5BPSA
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1700 V, 1800 A dual IGBT module
|
|
2Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Silicon Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
- IFF600B12ME4PB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
168,41 €
-
12Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IFF600B12ME4PB11
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
|
|
12Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Silicon Modules
|
Si
|
Press Fit
|
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
|
|
|
|
Igbt Moduliai IGBT Module 1400A 1700V
- FF1400R17IP4
- Infineon Technologies
-
1:
674,23 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF1400R17IP4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai IGBT Module 1400A 1700V
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
Tiristorių moduliai THYR / DIODE MODULE DK
- TT700N22KOFTIMHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
325,86 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-TT700N22KOFTIMHP
|
Infineon Technologies
|
Tiristorių moduliai THYR / DIODE MODULE DK
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Thyristor Modules
|
|
Si
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
Diodų moduliai 2200V 410A
- DD261N22K
- Infineon Technologies
-
1:
144,02 €
-
35Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-DD261N22K
|
Infineon Technologies
|
Diodų moduliai 2200V 410A
|
|
35Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Diode Modules
|
|
Si
|
Screw Mount
|
DD261
|
|
|
|
Igbt Moduliai IGBT 6500V 750A
- FZ750R65KE3
- Infineon Technologies
-
1:
2 188,46 €
-
1Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FZ750R65KE3
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai IGBT 6500V 750A
|
|
1Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
Module
|
|