{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 26

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Qg – vartų krūvis

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Prekinis pavadinimas

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Dalies Nr.

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R057M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 6,85 €
3 980Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R057M1HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R057M1HXTM

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

3 980Prieinamumas

Pjaunama Juosta

6,85 €

4,65 €

3,59 €

3,58 €

Ritė

3,04 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

74 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

161 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R260M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 3,70 €
865Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R260M1HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R260M1HXTM

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

865Prieinamumas

Pjaunama Juosta

3,70 €

2,44 €

1,72 €

1,57 €

Ritė

1,34 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

346 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R163M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 4,28 €
739Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R163M1HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R163M1HXTM

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

739Prieinamumas

Pjaunama Juosta

4,28 €

2,75 €

2,03 €

1,92 €

Ritė

1,63 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

217 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

85 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R022M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 12,90 €
783Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R022M1HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R022M1HXTM

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

783Prieinamumas

Pjaunama Juosta

12,90 €

9,08 €

8,21 €

8,20 €

Ritė

7,72 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

64 A

30 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R083M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 5,50 €
466Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R083M1HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R083M1HXTM

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

466Prieinamumas

Pjaunama Juosta

5,50 €

3,48 €

2,88 €

2,86 €

Ritė

2,43 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

111 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

126 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R039M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 6,67 €
692Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R039M1HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R039M1HXTM

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

692Prieinamumas

Pjaunama Juosta

6,67 €

5,11 €

4,60 €

4,58 €

Ritė

3,90 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

51 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 9,96 €
1 477Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R030M1HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R030M1HXTM

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 477Prieinamumas

Pjaunama Juosta

9,96 €

6,75 €

5,87 €

Ritė

4,99 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

63 A

42 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 3,92 €
444Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMZA65R107M1HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R107M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

444Prieinamumas

3,92 €

2,82 €

2,55 €

2,39 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R107M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 5,01 €
753Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R107M1HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R107M1HXTM

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

753Prieinamumas

Pjaunama Juosta

5,01 €

2,89 €

2,59 €

2,58 €

Ritė

2,18 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

141 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R072M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 6,20 €
911Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R072M1HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R072M1HXTM

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

911Prieinamumas

Pjaunama Juosta

6,20 €

4,20 €

3,15 €

3,14 €

Ritė

2,68 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R048M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 7,46 €
1 051Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R048M1HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R048M1HXTM

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 051Prieinamumas

Pjaunama Juosta

7,46 €

5,11 €

4,03 €

4,02 €

Ritė

3,43 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

183 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 11,38 €
222Prieinamumas
720Tikėtina 2026-07-30

Gam. dalies Nr.
IMZA65R027M1HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R027M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

222Prieinamumas

720Tikėtina 2026-07-30

11,38 €

6,91 €

6,06 €

6,02 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 9,07 €
254Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMZA65R030M1HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R030M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

254Prieinamumas

9,07 €

6,19 €

5,41 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

53 A

42 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 7,10 €
332Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMZA65R048M1HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R048M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

332Prieinamumas

7,10 €

4,51 €

3,86 €

3,80 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 10,95 €
123Prieinamumas
240Tikėtina 2026-02-23

Gam. dalies Nr.
IMW65R027M1HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R027M1HXKSA

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

123Prieinamumas

240Tikėtina 2026-02-23

10,95 €

6,63 €

5,88 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 10,10 €
20Prieinamumas
240Tikėtina 2026-03-02

Gam. dalies Nr.
IMW65R030M1HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R030M1HXKSA

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

20Prieinamumas

240Tikėtina 2026-03-02

10,10 €

6,08 €

5,56 €

5,29 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

42 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R057M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 6,28 €
81Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMW65R057M1HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R057M1HXKSA

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

81Prieinamumas

6,28 €

3,83 €

3,26 €

3,16 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

74 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 6,20 €
200Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMW65R072M1HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R072M1HXKSA

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

200Prieinamumas

6,20 €

3,25 €

2,95 €

2,94 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R083M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 4,79 €
80Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMW65R083M1HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R083M1HXKSA

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

80Prieinamumas

4,79 €

3,08 €

2,70 €

2,55 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

111 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 4,97 €
151Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMW65R107M1HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R107M1HXKSA

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

151Prieinamumas

4,97 €

2,89 €

2,61 €

2,32 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R039M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 7,51 €
155Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMZA65R039M1HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R039M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

155Prieinamumas

7,51 €

4,91 €

4,08 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

50 A

50 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R057M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 6,33 €
132Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMZA65R057M1HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R057M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

132Prieinamumas

6,33 €

4,08 €

3,99 €

3,26 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

74 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R039M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 7,65 €
480Tikėtina 2026-02-23

Gam. dalies Nr.
IMW65R039M1HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R039M1HXKSA

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

480Tikėtina 2026-02-23

7,65 €

4,70 €

4,08 €

4,00 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

50 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 7,07 €
480Tikėtina 2026-06-16

Gam. dalies Nr.
IMW65R048M1HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R048M1HXKSA

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

480Tikėtina 2026-06-16

7,07 €

4,25 €

3,83 €

3,69 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 6,36 €
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 11 Savaičių

Gam. dalies Nr.
IMZA65R072M1HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R072M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 11 Savaičių

6,36 €

3,68 €

3,02 €

2,87 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba