200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Rezultatai: 25
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Duomenų Lapas
23 723Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4668PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Duomenų Lapas
8 003Prieinamumas
8 000Tikėtina 2026-07-15
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 200 V 130 A 9.7 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 161 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Duomenų Lapas
1 061Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 250 V 93 A 17.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Duomenų Lapas
2 471Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 200 V 76 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
Duomenų Lapas
32 223Prieinamumas
11 000Tikėtina 2026-07-17
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
Duomenų Lapas
3 552Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 200 V 3.7 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
Duomenų Lapas
3 519Prieinamumas
7 200Tikėtina 2027-05-13
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 62 A 26 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 70 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
Duomenų Lapas
3 158Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
Duomenų Lapas
19 087Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 200 V 600 mA 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 3.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
Duomenų Lapas
5 526Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 1.8 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
Duomenų Lapas
5 267Prieinamumas
9 200Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Duomenų Lapas
2 878Prieinamumas
2 400Tikėtina 2026-08-20
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg
Duomenų Lapas
9 119Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 100 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
Duomenų Lapas
3 008Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 45 A 48 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
Duomenų Lapas
3 900Prieinamumas
20 800Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 77.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 38 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IRFB4227PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 929Prieinamumas
5 000Tikėtina 2026-07-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Tube
Infineon Technologies IRFP4227PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 384Prieinamumas
800Tikėtina 2026-07-15
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Tube
Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Duomenų Lapas
1 115Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-07-30
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 250 V 46 A 46 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
Duomenų Lapas
876Prieinamumas
38 400Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
Duomenų Lapas
1 306Prieinamumas
8 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
Duomenų Lapas
1 610Prieinamumas
23 800Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 25 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
Duomenų Lapas
153Prieinamumas
1 600Tikėtina 2026-07-17
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 175 C 320 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
Duomenų Lapas
302Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 9.3 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23.3 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Duomenų Lapas
62Prieinamumas
400Tikėtina 2026-07-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 250 V 44 A 46 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 310 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFB4620PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 19 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 200 V 25 A 72.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 25 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Tube