IRFP260MPBF

Infineon Technologies
942-IRFP260MPBF
IRFP260MPBF

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IRFP260MPBF

Prieinamumas: 23 551

Turime sandėlyje:
23 551 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
8 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
3,41 € 3,41 €
1,91 € 19,10 €
1,42 € 142,00 €
1,20 € 480,00 €
1,12 € 1 344,00 €
1,09 € 3 052,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Infineon
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
200 V
50 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
156 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Tube
Prekės Ženklas: Infineon Technologies
Configuration: Single
Rudens laikas: 48 ns
Tiesioginis laidumas - min: 27 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 60 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis: 400
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 55 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 17 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Vieneto Svoris: 6 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Taivanas
Šalis, kurioje pagaminta:
Kinija
Distribucijos šalis:
Malaizija
Šalis gali keistis siuntimo metu.

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Power MOSFETs

Infineon pioneered HEXFET power MOSFET technology, developing and introducing the first hexagonal topology MOSFETs in 1979. These developments were granted a broad patent just four years later, and since that time, most MOSFET manufacturers have licensed the designs and processes to enter this marketplace. IR products exhibit the lowest MOSFET on-resistance available on the market for similar components in their class, enabling power conversion subsystem designs that exhibit unequaled efficiency. IR combines state-of-the-art silicon technology with innovative packaging technology. IR POWIRTAB™, Super-220™, and Super-247™ packages allow up to 20A more current per device in the same footprint than standard packages, increasing power density. Compatible with standard surface-mount soldering techniques, IR's FlipFET® packaging technology offers a 100% silicon-to-footprint ratio with the same performance as a conventional package three times as big, making it the ideal solution for portable devices such as phones or notebook PCs. IR's DirectFET® packaging revolutionizes thermal management in the footprint of a standard SO-8 by drawing heat away from the board through the top of the package. As a result, DirectFET MOSFETs can double the current density while cutting thermal management costs in half in high-current circuits that power next-generation microprocessors.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.