T1GA26xx-SM Low Noise Amplifiers

Qorvo TGA26xx-SM Low Noise Amplifiers are fabricated on a 0.25um GaN on SiC process (TQGaN25). Covering 2GHz to 6GHz, the TGA26xx-SM Amplifiers typically provides >22dB small signal gain and 30dBm of OTOI with 1.0dB NF. In addition to the high electrical performance, this GaN amplifier also provides a high level of input power robustness. Able to survive a high level of input power without performance degradation, Qorvo TGA26xx-SM provides flexibility regarding receive chain protection, resulting in reduced board space. This device is ideal for radar and satellite communication applications.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Darbinis Dažnis
Darbinė Maitinimo Įtampa
Darbinė Maitinimo Srovė
Gain
Tipas
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Technologijos
P1dB - suspaudimo taškas
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
Qorvo RF Stiprintuvas 9-10GHz 20W GaN PAE>40% SSG >34dB
Duomenų Lapas
700Tikėtina 2026-04-10
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 250

9 GHz to 10 GHz 20 V to 32 V 365 mA 34 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-22 GaN SiC - 40 C + 85 C TGA2624 Reel, Cut Tape
Qorvo RF Stiprintuvas 9-10GHz 35W GaN PAE >42% SSG >30dB
Duomenų Lapas
N/A
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 GHz to 10 GHz 28 V 290 mA 32.7 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-22 GaN SiC 40 dBm - 40 C + 85 C TGA2622 Waffle