|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R350M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,61 €
-
68Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-02-16
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R350M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
68Prieinamumas
240Tikėtina 2026-02-16
|
|
|
4,61 €
|
|
|
2,81 €
|
|
|
2,35 €
|
|
|
1,94 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,20 €
-
300Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R072M1HXKSA
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
300Prieinamumas
|
|
|
6,20 €
|
|
|
3,25 €
|
|
|
2,95 €
|
|
|
2,94 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,97 €
-
251Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R107M1HXKSA
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
251Prieinamumas
|
|
|
4,97 €
|
|
|
2,89 €
|
|
|
2,61 €
|
|
|
2,32 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R060M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,36 €
-
173Prieinamumas
-
960Tikėtina 2026-05-07
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R060M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
173Prieinamumas
960Tikėtina 2026-05-07
|
|
|
8,36 €
|
|
|
5,58 €
|
|
|
5,13 €
|
|
|
4,22 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R140M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,60 €
-
159Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-02-12
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R140M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
159Prieinamumas
240Tikėtina 2026-02-12
|
|
|
6,60 €
|
|
|
4,65 €
|
|
|
3,88 €
|
|
|
3,46 €
|
|
|
3,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R220M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,53 €
-
80Prieinamumas
-
480Tikėtina 2026-08-05
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R220M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
80Prieinamumas
480Tikėtina 2026-08-05
|
|
|
5,53 €
|
|
|
3,21 €
|
|
|
2,68 €
|
|
|
2,43 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
- IMZ120R350M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,39 €
-
421Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R350M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
|
|
421Prieinamumas
|
|
|
4,39 €
|
|
|
2,53 €
|
|
|
2,17 €
|
|
|
2,12 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
- 1EDC20I12MHXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,20 €
-
250Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDC20I12MHXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
|
|
250Prieinamumas
|
|
|
2,20 €
|
|
|
1,71 €
|
|
|
1,59 €
|
|
|
1,46 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,25 €
|
|
|
1,39 €
|
|
|
1,36 €
|
|
|
1,25 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, UL, SEP Outpu
- 1EDC60H12AHXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,55 €
-
191Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDC60H12AHXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, UL, SEP Outpu
|
|
191Prieinamumas
|
|
|
2,55 €
|
|
|
1,94 €
|
|
|
1,77 €
|
|
|
1,62 €
|
|
|
1,34 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,54 €
|
|
|
1,49 €
|
|
|
1,33 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
- 1ED020I12-F2
- Infineon Technologies
-
1:
4,92 €
-
302Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-1ED020I12-F2
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
|
|
302Prieinamumas
|
|
|
4,92 €
|
|
|
3,43 €
|
|
|
3,20 €
|
|
|
2,81 €
|
|
|
2,01 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
2,67 €
|
|
|
2,39 €
|
|
|
1,94 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBF170R650M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,47 €
-
1 974Tikėtina 2026-05-14
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBF170R650M1XTM
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
1 974Tikėtina 2026-05-14
|
|
|
4,47 €
|
|
|
3,10 €
|
|
|
2,24 €
|
|
|
2,17 €
|
|
|
1,88 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,07 €
-
480Tikėtina 2026-06-16
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R048M1HXKSA
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
480Tikėtina 2026-06-16
|
|
|
7,07 €
|
|
|
4,25 €
|
|
|
3,83 €
|
|
|
3,69 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R090M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,40 €
-
446Tikėtina 2026-02-16
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R090M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
446Tikėtina 2026-02-16
|
|
|
7,40 €
|
|
|
5,38 €
|
|
|
4,48 €
|
|
|
3,99 €
|
|
|
3,56 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,36 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 11 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R072M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 11 Savaičių
|
|
|
6,36 €
|
|
|
3,68 €
|
|
|
3,02 €
|
|
|
2,87 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Lietuva
