|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
14,88 €
-
18Prieinamumas
-
1 200Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R027M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
18Prieinamumas
1 200Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
18 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
720 Tikėtina 2027-01-07
480 Tikėtina 2027-01-28
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
14,88 €
|
|
|
9,06 €
|
|
|
7,07 €
|
|
|
7,06 €
|
|
|
7,01 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,12 €
-
47Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-12-31
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
47Prieinamumas
240Tikėtina 2026-12-31
|
|
|
9,12 €
|
|
|
6,03 €
|
|
|
4,58 €
|
|
|
4,33 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA
- 2ED020I12-F2
- Infineon Technologies
-
1:
5,37 €
-
10Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-2ED020I12-F2
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA
|
|
10Prieinamumas
|
|
|
5,37 €
|
|
|
4,11 €
|
|
|
3,80 €
|
|
|
3,52 €
|
|
|
2,98 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF1MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
566,49 €
-
40Tikėtina 2026-08-13
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
40Tikėtina 2026-08-13
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,19 €
-
10 930Tikėtina 2026-07-09
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBF170R1K0M1XTM
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
10 930Tikėtina 2026-07-09
|
|
|
5,19 €
|
|
|
3,41 €
|
|
|
2,50 €
|
|
|
2,23 €
|
|
|
1,98 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN7550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,662 €
-
11 744Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN7550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
11 744Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
5 744 Tikėtina 2026-07-02
6 000 Tikėtina 2026-07-30
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
39 Savaičių
|
|
|
0,662 €
|
|
|
0,465 €
|
|
|
0,417 €
|
|
|
0,365 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,298 €
|
|
|
0,339 €
|
|
|
0,324 €
|
|
|
0,311 €
|
|
|
0,298 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN8550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,662 €
-
32 416Tikėtina 2027-02-18
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN8550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
32 416Tikėtina 2027-02-18
|
|
|
0,662 €
|
|
|
0,465 €
|
|
|
0,417 €
|
|
|
0,365 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,298 €
|
|
|
0,339 €
|
|
|
0,324 €
|
|
|
0,311 €
|
|
|
0,298 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R090M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,39 €
-
1 440Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R090M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
1 440Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
480 Tikėtina 2026-08-20
960 Tikėtina 2027-05-27
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
45 Savaičių
|
|
|
8,39 €
|
|
|
5,32 €
|
|
|
4,49 €
|
|
|
4,16 €
|
|
|
3,69 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
17,11 €
-
1 178Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R030M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
1 178Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
698 Tikėtina 2026-08-06
480 Tikėtina 2027-04-30
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
45 Savaičių
|
|
|
17,11 €
|
|
|
13,04 €
|
|
|
10,86 €
|
|
|
9,68 €
|
|
|
9,05 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,11 €
-
240Tikėtina 2027-06-18
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R107M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
240Tikėtina 2027-06-18
|
|
|
6,11 €
|
|
|
3,49 €
|
|
|
2,92 €
|
|
|
2,64 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
- 1ED020I12-F2
- Infineon Technologies
-
1 000:
1,94 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-1ED020I12-F2
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
|
|
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
:
1 000
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF1MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
556,54 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R090M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,60 €
-
Vykdymo Laikas 30 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R090M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
Vykdymo Laikas 30 Savaičių
|
|
|
8,60 €
|
|
|
5,61 €
|
|
|
4,45 €
|
|
|
3,98 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,29 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R072M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
|
|
|
7,29 €
|
|
|
4,23 €
|
|
|
3,93 €
|
|
|
3,37 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Lietuva
