|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1ED3431MU12MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,14 €
-
1 216Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1ED3431MU12MXUMA
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
1 216Prieinamumas
|
|
|
4,14 €
|
|
|
3,15 €
|
|
|
2,83 €
|
|
|
2,63 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
2,20 €
|
|
|
2,50 €
|
|
|
2,43 €
|
|
|
2,20 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDF9275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,64 €
-
8 222Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDF9275FXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
8 222Prieinamumas
|
|
|
2,64 €
|
|
|
1,99 €
|
|
|
1,81 €
|
|
|
1,63 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,33 €
|
|
|
1,55 €
|
|
|
1,50 €
|
|
|
1,44 €
|
|
|
1,33 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,05 €
-
444Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R107M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
444Prieinamumas
|
|
|
4,05 €
|
|
|
2,92 €
|
|
|
2,58 €
|
|
|
2,39 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu
- 1EDC20H12AHXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,43 €
-
2 250Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDC20H12AHXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu
|
|
2 250Prieinamumas
|
|
|
2,43 €
|
|
|
1,82 €
|
|
|
1,67 €
|
|
|
1,50 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,15 €
|
|
|
1,41 €
|
|
|
1,35 €
|
|
|
1,15 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF1MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
566,12 €
-
20Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF1MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
515,99 €
-
16Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
16Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai MEDIUM POWER 62MM
- FF2MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
442,79 €
-
13Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF2MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai MEDIUM POWER 62MM
|
|
13Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
- FF2MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
438,24 €
-
2Prieinamumas
-
10Tikėtina 2026-05-12
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF2MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
|
|
2Prieinamumas
10Tikėtina 2026-05-12
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN8550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,533 €
-
26 540Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN8550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
26 540Prieinamumas
|
|
|
0,533 €
|
|
|
0,387 €
|
|
|
0,351 €
|
|
|
0,31 €
|
|
|
0,252 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,28 €
|
|
|
0,269 €
|
|
|
0,25 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,09 €
-
1 121Prieinamumas
-
4 000Tikėtina 2026-05-21
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBF170R1K0M1XTM
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
1 121Prieinamumas
4 000Tikėtina 2026-05-21
|
|
|
4,09 €
|
|
|
2,70 €
|
|
|
2,03 €
|
|
|
1,84 €
|
|
|
1,52 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBF170R450M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,01 €
-
1 882Prieinamumas
-
1 250Tikėtina 2026-03-19
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBF170R450M1XTM
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
1 882Prieinamumas
1 250Tikėtina 2026-03-19
|
|
|
5,01 €
|
|
|
3,74 €
|
|
|
2,73 €
|
|
|
2,31 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,05 €
-
176Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-02-26
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R030M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
176Prieinamumas
240Tikėtina 2026-02-26
|
|
|
10,05 €
|
|
|
7,24 €
|
|
|
6,77 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R090M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,35 €
-
1 180Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R090M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
1 180Prieinamumas
|
|
|
6,35 €
|
|
|
3,96 €
|
|
|
3,35 €
|
|
|
3,34 €
|
|
|
3,16 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R220M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,62 €
-
1 004Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R220M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
1 004Prieinamumas
|
|
|
4,62 €
|
|
|
2,94 €
|
|
|
2,45 €
|
|
|
2,18 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,75 €
-
872Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R030M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
872Prieinamumas
|
|
|
12,75 €
|
|
|
8,54 €
|
|
|
7,93 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,38 €
-
222Prieinamumas
-
720Tikėtina 2026-07-30
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R027M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
222Prieinamumas
720Tikėtina 2026-07-30
|
|
|
11,38 €
|
|
|
6,91 €
|
|
|
6,06 €
|
|
|
6,02 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,10 €
-
332Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R048M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
332Prieinamumas
|
|
|
7,10 €
|
|
|
4,51 €
|
|
|
3,86 €
|
|
|
3,80 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDS9265HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,94 €
-
592Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDS9265HXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
592Prieinamumas
|
|
|
1,94 €
|
|
|
1,44 €
|
|
|
1,32 €
|
|
|
1,18 €
|
|
|
1,03 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,11 €
|
|
|
1,07 €
|
|
|
0,989 €
|
|
|
0,972 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,95 €
-
153Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-02-23
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R027M1HXKSA
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
153Prieinamumas
240Tikėtina 2026-02-23
|
|
|
10,95 €
|
|
|
6,63 €
|
|
|
5,88 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA
- 2ED020I12-F2
- Infineon Technologies
-
1:
6,89 €
-
388Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-2ED020I12-F2
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA
|
|
388Prieinamumas
|
|
|
6,89 €
|
|
|
4,87 €
|
|
|
4,64 €
|
|
|
4,02 €
|
|
|
3,00 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
3,84 €
|
|
|
3,54 €
|
|
|
2,93 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
- 1EDI20I12MFXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,35 €
-
2Prieinamumas
-
5 000Tikėtina 2027-02-03
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDI20I12MFXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
|
|
2Prieinamumas
5 000Tikėtina 2027-02-03
|
|
|
1,35 €
|
|
|
0,989 €
|
|
|
0,894 €
|
|
|
0,795 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,647 €
|
|
|
0,747 €
|
|
|
0,719 €
|
|
|
0,681 €
|
|
|
0,647 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN7550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,533 €
-
288Prieinamumas
-
3 000Tikėtina 2026-09-03
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN7550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
288Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-09-03
|
|
|
0,533 €
|
|
|
0,409 €
|
|
|
0,367 €
|
|
|
0,321 €
|
|
|
0,261 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,299 €
|
|
|
0,286 €
|
|
|
0,275 €
|
|
|
0,254 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1ED3251MC12HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,31 €
-
252Prieinamumas
-
1 000Tikėtina 2026-02-26
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-ED3251MC12HXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
252Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-02-26
|
|
|
2,31 €
|
|
|
1,73 €
|
|
|
1,58 €
|
|
|
1,42 €
|
|
|
1,25 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,34 €
|
|
|
1,30 €
|
|
|
1,20 €
|
|
|
1,19 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R060M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,98 €
-
255Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-08-13
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R060M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
255Prieinamumas
240Tikėtina 2026-08-13
|
|
|
7,98 €
|
|
|
4,70 €
|
|
|
3,99 €
|
|
|
3,89 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R140M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,90 €
-
422Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R140M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
422Prieinamumas
|
|
|
5,90 €
|
|
|
3,40 €
|
|
|
2,84 €
|
|
|
2,60 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Lietuva
