|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1ED3431MU12MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,55 €
-
1 155Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1ED3431MU12MXUMA
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
1 155Prieinamumas
|
|
|
4,55 €
|
|
|
3,47 €
|
|
|
3,20 €
|
|
|
2,90 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
2,50 €
|
|
|
2,75 €
|
|
|
2,67 €
|
|
|
2,50 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu
- 1EDC20H12AHXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,76 €
-
2 250Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDC20H12AHXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu
|
|
2 250Prieinamumas
|
|
|
2,76 €
|
|
|
2,00 €
|
|
|
1,82 €
|
|
|
1,61 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,23 €
|
|
|
1,52 €
|
|
|
1,44 €
|
|
|
1,23 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDF9275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,91 €
-
8 222Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDF9275FXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
8 222Prieinamumas
|
|
|
2,91 €
|
|
|
2,18 €
|
|
|
2,00 €
|
|
|
1,80 €
|
|
|
1,35 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,70 €
|
|
|
1,64 €
|
|
|
1,46 €
|
|
|
1,33 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,72 €
-
437Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R107M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
437Prieinamumas
|
|
|
5,72 €
|
|
|
3,29 €
|
|
|
2,74 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF1MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
566,12 €
-
20Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF1MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
433,14 €
-
12Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
12Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
- FF2MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
438,24 €
-
8Prieinamumas
-
10Tikėtina 2026-04-29
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF2MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
|
|
8Prieinamumas
10Tikėtina 2026-04-29
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai MEDIUM POWER 62MM
- FF2MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
428,04 €
-
13Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF2MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai MEDIUM POWER 62MM
|
|
13Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,42 €
-
434Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R072M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
434Prieinamumas
|
|
|
6,42 €
|
|
|
3,72 €
|
|
|
3,20 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
- 1EDI20I12MFXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,48 €
-
5 124Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDI20I12MFXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
|
|
5 124Prieinamumas
|
|
|
1,48 €
|
|
|
1,08 €
|
|
|
0,989 €
|
|
|
0,92 €
|
|
|
0,839 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,903 €
|
|
|
0,894 €
|
|
|
0,877 €
|
|
|
0,818 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1ED3251MC12HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,39 €
-
1 200Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-ED3251MC12HXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
1 200Prieinamumas
|
|
|
2,39 €
|
|
|
1,79 €
|
|
|
1,63 €
|
|
|
1,46 €
|
|
|
1,41 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,41 €
|
|
|
1,24 €
|
|
|
1,22 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBF170R450M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,57 €
-
4 105Prieinamumas
-
3 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBF170R450M1XTM
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
4 105Prieinamumas
3 000Pagal užsakymą
|
|
|
5,57 €
|
|
|
3,74 €
|
|
|
2,73 €
|
|
|
2,55 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R350M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,96 €
-
561Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R350M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
561Prieinamumas
|
|
|
4,96 €
|
|
|
2,82 €
|
|
|
2,27 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,81 €
-
773Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R030M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
773Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R090M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,49 €
-
416Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R090M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
416Prieinamumas
|
|
|
7,49 €
|
|
|
4,39 €
|
|
|
3,93 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R140M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,51 €
-
399Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R140M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
399Prieinamumas
|
|
|
6,51 €
|
|
|
3,90 €
|
|
|
3,40 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R220M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,99 €
-
452Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R220M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
452Prieinamumas
|
|
|
5,99 €
|
|
|
3,45 €
|
|
|
2,92 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDS9265HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,83 €
-
588Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDS9265HXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
588Prieinamumas
|
|
|
1,83 €
|
|
|
1,42 €
|
|
|
1,31 €
|
|
|
1,20 €
|
|
|
1,08 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,04 €
|
|
|
1,03 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,54 €
-
899Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R027M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
899Prieinamumas
|
|
|
11,54 €
|
|
|
7,03 €
|
|
|
6,91 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN7550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,602 €
-
2 660Prieinamumas
-
6 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN7550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
2 660Prieinamumas
6 000Pagal užsakymą
|
|
|
0,602 €
|
|
|
0,422 €
|
|
|
0,378 €
|
|
|
0,331 €
|
|
|
0,268 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,309 €
|
|
|
0,294 €
|
|
|
0,284 €
|
|
|
0,261 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,47 €
-
2Prieinamumas
-
11 000Tikėtina 2026-09-03
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBF170R1K0M1XTM
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
2Prieinamumas
11 000Tikėtina 2026-09-03
|
|
|
4,47 €
|
|
|
2,96 €
|
|
|
2,11 €
|
|
|
1,80 €
|
|
|
1,80 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
14,74 €
-
480Tikėtina 2026-05-07
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R030M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
480Tikėtina 2026-05-07
|
|
|
14,74 €
|
|
|
12,01 €
|
|
|
10,00 €
|
|
|
8,91 €
|
|
|
8,32 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R140M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,29 €
-
392Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R140M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
392Prieinamumas
|
|
|
6,29 €
|
|
|
3,64 €
|
|
|
3,11 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R060M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,97 €
-
77Prieinamumas
-
960Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R060M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
77Prieinamumas
960Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
77 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
480 Tikėtina 2026-07-09
480 Tikėtina 2026-09-03
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
30 Savaičių
|
|
|
8,97 €
|
|
|
5,53 €
|
|
|
4,99 €
|
|
|
4,98 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
- IMZ120R350M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,00 €
-
410Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R350M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
|
|
410Prieinamumas
|
|
|
5,00 €
|
|
|
2,87 €
|
|
|
2,33 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Lietuva
