|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN9550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,688 €
-
7 146Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN9550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
7 146Prieinamumas
|
|
|
0,688 €
|
|
|
0,488 €
|
|
|
0,438 €
|
|
|
0,382 €
|
|
|
0,312 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,355 €
|
|
|
0,34 €
|
|
|
0,327 €
|
|
|
0,304 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDF9275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,04 €
-
8 222Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDF9275FXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
8 222Prieinamumas
|
|
|
3,04 €
|
|
|
2,27 €
|
|
|
2,07 €
|
|
|
1,86 €
|
|
|
1,58 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,75 €
|
|
|
1,72 €
|
|
|
1,63 €
|
|
|
1,55 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R107M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,91 €
-
753Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R107M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
753Prieinamumas
|
|
|
5,91 €
|
|
|
3,83 €
|
|
|
2,88 €
|
|
|
2,70 €
|
|
|
2,55 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R039M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,06 €
-
335Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R039M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
335Prieinamumas
|
|
|
8,06 €
|
|
|
5,64 €
|
|
|
4,78 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R048M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,14 €
-
1 019Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R048M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 019Prieinamumas
|
|
|
8,14 €
|
|
|
5,21 €
|
|
|
4,13 €
|
|
|
3,90 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R072M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,67 €
-
861Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R072M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
861Prieinamumas
|
|
|
6,67 €
|
|
|
4,40 €
|
|
|
3,41 €
|
|
|
3,31 €
|
|
|
3,13 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,74 €
-
437Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R107M1HXKS
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
437Prieinamumas
|
|
|
5,74 €
|
|
|
3,76 €
|
|
|
3,15 €
|
|
|
3,14 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R022M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
14,58 €
-
653Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R022M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
653Prieinamumas
|
|
|
14,58 €
|
|
|
10,30 €
|
|
|
8,82 €
|
|
|
8,34 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,60 €
-
440Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R030M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
440Prieinamumas
|
|
|
11,60 €
|
|
|
7,01 €
|
|
|
6,21 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,08 €
-
434Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R072M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
434Prieinamumas
|
|
|
7,08 €
|
|
|
4,10 €
|
|
|
3,45 €
|
|
|
3,24 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1EDB9275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,45 €
-
1 936Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDB9275FXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
1 936Prieinamumas
|
|
|
1,45 €
|
|
|
1,07 €
|
|
|
0,963 €
|
|
|
0,858 €
|
|
|
0,716 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,806 €
|
|
|
0,775 €
|
|
|
0,765 €
|
|
|
0,701 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN6550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,662 €
-
6 197Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN6550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
6 197Prieinamumas
|
|
|
0,662 €
|
|
|
0,465 €
|
|
|
0,417 €
|
|
|
0,365 €
|
|
|
0,298 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,339 €
|
|
|
0,324 €
|
|
|
0,311 €
|
|
|
0,29 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDS9265HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,18 €
-
588Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDS9265HXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
588Prieinamumas
|
|
|
2,18 €
|
|
|
1,62 €
|
|
|
1,47 €
|
|
|
1,32 €
|
|
|
1,15 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,25 €
|
|
|
1,20 €
|
|
|
1,14 €
|
|
|
1,10 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R260M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,10 €
-
747Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R260M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
747Prieinamumas
|
|
|
4,10 €
|
|
|
2,71 €
|
|
|
1,92 €
|
|
|
1,65 €
|
|
|
1,56 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,44 €
-
1 240Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 240Prieinamumas
|
|
|
12,44 €
|
|
|
7,56 €
|
|
|
6,80 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,62 €
-
445Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R048M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
445Prieinamumas
|
|
|
8,62 €
|
|
|
5,07 €
|
|
|
4,29 €
|
|
|
4,21 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,17 €
-
254Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-07-09
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R030M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
254Prieinamumas
240Tikėtina 2026-07-09
|
|
|
11,17 €
|
|
|
7,12 €
|
|
|
6,77 €
|
|
|
6,33 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R057M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,98 €
-
132Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R057M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
132Prieinamumas
|
|
|
7,98 €
|
|
|
4,67 €
|
|
|
3,80 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1EDB6275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,45 €
-
1 095Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDB6275FXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
1 095Prieinamumas
|
|
|
1,45 €
|
|
|
1,07 €
|
|
|
0,963 €
|
|
|
0,858 €
|
|
|
0,716 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,806 €
|
|
|
0,775 €
|
|
|
0,765 €
|
|
|
0,701 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R057M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,41 €
-
55Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R057M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
55Prieinamumas
|
|
|
7,41 €
|
|
|
5,22 €
|
|
|
3,84 €
|
|
|
3,69 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R083M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,46 €
-
320Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R083M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
320Prieinamumas
|
|
|
6,46 €
|
|
|
3,84 €
|
|
|
3,36 €
|
|
|
2,99 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
14,88 €
-
18Prieinamumas
-
1 200Tikėtina 2027-01-07
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R027M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
18Prieinamumas
1 200Tikėtina 2027-01-07
|
|
|
14,88 €
|
|
|
9,06 €
|
|
|
7,07 €
|
|
|
7,06 €
|
|
|
7,01 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,12 €
-
47Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-12-31
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
47Prieinamumas
240Tikėtina 2026-12-31
|
|
|
9,12 €
|
|
|
6,03 €
|
|
|
4,58 €
|
|
|
4,33 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R057M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,54 €
-
1 995Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R057M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 995Pagal užsakymą
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
7,54 €
|
|
|
5,05 €
|
|
|
3,78 €
|
|
|
3,73 €
|
|
|
3,53 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R039M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,86 €
-
2 160Tikėtina 2026-08-27
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R039M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
2 160Tikėtina 2026-08-27
|
|
|
9,86 €
|
|
|
6,68 €
|
|
|
5,27 €
|
|
|
4,78 €
|
|
|
4,69 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Lietuva
