|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R260M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,70 €
-
817Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R260M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
817Prieinamumas
|
|
|
3,70 €
|
|
|
2,32 €
|
|
|
1,79 €
|
|
|
1,57 €
|
|
|
1,54 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDF9275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,91 €
-
8 222Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDF9275FXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
8 222Prieinamumas
|
|
|
2,91 €
|
|
|
2,18 €
|
|
|
2,00 €
|
|
|
1,80 €
|
|
|
1,35 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,70 €
|
|
|
1,64 €
|
|
|
1,46 €
|
|
|
1,33 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R163M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,93 €
-
729Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R163M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
729Prieinamumas
|
|
|
4,93 €
|
|
|
3,23 €
|
|
|
2,37 €
|
|
|
2,12 €
|
|
|
1,87 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R057M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,00 €
-
3 984Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R057M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
3 984Prieinamumas
|
|
|
7,00 €
|
|
|
4,80 €
|
|
|
3,88 €
|
|
|
3,71 €
|
|
|
3,48 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R039M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,16 €
-
360Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R039M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
360Prieinamumas
|
|
|
7,16 €
|
|
|
5,12 €
|
|
|
4,72 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R048M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,95 €
-
1 019Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R048M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 019Prieinamumas
|
|
|
7,95 €
|
|
|
5,24 €
|
|
|
4,23 €
|
|
|
4,07 €
|
|
|
3,84 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R022M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
14,62 €
-
653Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R022M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
653Prieinamumas
|
|
|
14,62 €
|
|
|
10,59 €
|
|
|
8,82 €
|
|
|
8,23 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,72 €
-
437Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R107M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
437Prieinamumas
|
|
|
5,72 €
|
|
|
3,29 €
|
|
|
2,74 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R039M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,33 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R039M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
|
|
|
8,33 €
|
|
|
5,78 €
|
|
|
5,08 €
|
|
|
4,76 €
|
|
|
4,47 €
|
|
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R072M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,06 €
-
861Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R072M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
861Prieinamumas
|
|
|
6,06 €
|
|
|
4,36 €
|
|
|
3,51 €
|
|
|
3,31 €
|
|
|
3,09 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R107M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,01 €
-
753Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R107M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
753Prieinamumas
|
|
|
5,01 €
|
|
|
3,53 €
|
|
|
2,59 €
|
|
|
2,58 €
|
|
|
2,52 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,42 €
-
434Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R072M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
434Prieinamumas
|
|
|
6,42 €
|
|
|
3,72 €
|
|
|
3,20 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1EDB9275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,28 €
-
2 179Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDB9275FXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
2 179Prieinamumas
|
|
|
1,28 €
|
|
|
0,937 €
|
|
|
0,851 €
|
|
|
0,756 €
|
|
|
0,636 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,71 €
|
|
|
0,679 €
|
|
|
0,673 €
|
|
|
0,621 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN9550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,628 €
-
7 167Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN9550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
7 167Prieinamumas
|
|
|
0,628 €
|
|
|
0,439 €
|
|
|
0,396 €
|
|
|
0,346 €
|
|
|
0,307 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,323 €
|
|
|
0,309 €
|
|
|
0,307 €
|
|
|
0,299 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDS9265HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,83 €
-
588Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDS9265HXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
588Prieinamumas
|
|
|
1,83 €
|
|
|
1,42 €
|
|
|
1,31 €
|
|
|
1,20 €
|
|
|
1,08 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,04 €
|
|
|
1,03 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,52 €
-
460Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R030M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
460Prieinamumas
|
|
|
10,52 €
|
|
|
6,35 €
|
|
|
6,12 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,54 €
-
899Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R027M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
899Prieinamumas
|
|
|
11,54 €
|
|
|
7,03 €
|
|
|
6,91 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,68 €
-
254Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-07-09
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R030M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
254Prieinamumas
240Tikėtina 2026-07-09
|
|
|
10,68 €
|
|
|
6,46 €
|
|
|
6,24 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R057M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,23 €
-
132Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R057M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
132Prieinamumas
|
|
|
7,23 €
|
|
|
4,23 €
|
|
|
3,75 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1EDB6275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,21 €
-
1 126Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDB6275FXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
1 126Prieinamumas
|
|
|
1,21 €
|
|
|
0,92 €
|
|
|
0,845 €
|
|
|
0,763 €
|
|
|
0,639 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,722 €
|
|
|
0,697 €
|
|
|
0,663 €
|
|
|
0,632 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN6550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,602 €
-
3 405Prieinamumas
-
6 000Tikėtina 2026-05-07
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN6550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
3 405Prieinamumas
6 000Tikėtina 2026-05-07
|
|
|
0,602 €
|
|
|
0,422 €
|
|
|
0,378 €
|
|
|
0,331 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,285 €
|
|
|
0,309 €
|
|
|
0,294 €
|
|
|
0,286 €
|
|
|
0,285 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,28 €
-
38Prieinamumas
-
1 200Tikėtina 2026-05-07
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
38Prieinamumas
1 200Tikėtina 2026-05-07
|
|
|
11,28 €
|
|
|
6,85 €
|
|
|
6,71 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R057M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,56 €
-
61Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R057M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
61Prieinamumas
|
|
|
6,56 €
|
|
|
4,26 €
|
|
|
3,64 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R083M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,05 €
-
320Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R083M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
320Prieinamumas
|
|
|
6,05 €
|
|
|
3,48 €
|
|
|
2,96 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,54 €
-
371Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R107M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
371Prieinamumas
|
|
|
5,54 €
|
|
|
3,16 €
|
|
|
2,61 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Lietuva
