|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDF9275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,97 €
-
8 222Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDF9275FXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
8 222Prieinamumas
|
|
|
2,97 €
|
|
|
2,24 €
|
|
|
2,05 €
|
|
|
1,85 €
|
|
|
1,50 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,75 €
|
|
|
1,73 €
|
|
|
1,64 €
|
|
|
1,47 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN9550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,671 €
-
6 943Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN9550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
6 943Prieinamumas
|
|
|
0,671 €
|
|
|
0,474 €
|
|
|
0,416 €
|
|
|
0,372 €
|
|
|
0,297 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,347 €
|
|
|
0,331 €
|
|
|
0,316 €
|
|
|
0,291 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R022M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
15,44 €
-
653Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R022M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
653Prieinamumas
|
|
|
15,44 €
|
|
|
10,58 €
|
|
|
9,39 €
|
|
|
9,19 €
|
|
|
8,22 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,25 €
-
432Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R048M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
432Prieinamumas
|
|
|
9,25 €
|
|
|
5,48 €
|
|
|
4,62 €
|
|
|
4,15 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R039M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,03 €
-
335Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R039M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
335Prieinamumas
|
|
|
8,03 €
|
|
|
5,85 €
|
|
|
5,25 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,18 €
-
437Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R107M1HXKS
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
437Prieinamumas
|
|
|
5,18 €
|
|
|
3,39 €
|
|
|
3,38 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R072M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,87 €
-
861Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R072M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
861Prieinamumas
|
|
|
6,87 €
|
|
|
4,44 €
|
|
|
3,59 €
|
|
|
3,53 €
|
|
|
3,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R107M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,34 €
-
753Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R107M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
753Prieinamumas
|
|
|
6,34 €
|
|
|
3,94 €
|
|
|
3,11 €
|
|
|
2,96 €
|
|
|
2,51 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDS9265HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,91 €
-
575Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDS9265HXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
575Prieinamumas
|
|
|
1,91 €
|
|
|
1,52 €
|
|
|
1,42 €
|
|
|
1,32 €
|
|
|
1,18 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,24 €
|
|
|
1,20 €
|
|
|
1,15 €
|
|
|
1,14 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R048M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,49 €
-
1 019Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R048M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 019Prieinamumas
|
|
|
8,49 €
|
|
|
5,31 €
|
|
|
4,41 €
|
|
|
4,35 €
|
|
|
3,98 €
|
|
|
3,85 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN6550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,671 €
-
11 648Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN6550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
11 648Prieinamumas
|
|
|
0,671 €
|
|
|
0,479 €
|
|
|
0,431 €
|
|
|
0,378 €
|
|
|
0,308 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,353 €
|
|
|
0,337 €
|
|
|
0,324 €
|
|
|
0,301 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,46 €
-
480Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R030M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
480Prieinamumas
|
|
|
12,46 €
|
|
|
7,58 €
|
|
|
6,73 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,11 €
-
434Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R072M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
434Prieinamumas
|
|
|
7,11 €
|
|
|
4,42 €
|
|
|
3,72 €
|
|
|
3,52 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,52 €
-
1 469Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R027M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 469Prieinamumas
|
|
|
13,52 €
|
|
|
8,39 €
|
|
|
7,69 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1EDB6275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,44 €
-
1 022Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDB6275FXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
1 022Prieinamumas
|
|
|
1,44 €
|
|
|
0,972 €
|
|
|
0,886 €
|
|
|
0,791 €
|
|
|
0,683 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,746 €
|
|
|
0,731 €
|
|
|
0,67 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1EDB9275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,45 €
-
424Prieinamumas
-
2 500Tikėtina 2026-09-07
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDB9275FXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
424Prieinamumas
2 500Tikėtina 2026-09-07
|
|
|
1,45 €
|
|
|
1,06 €
|
|
|
0,963 €
|
|
|
0,859 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,703 €
|
|
|
0,807 €
|
|
|
0,721 €
|
|
|
0,714 €
|
|
|
0,703 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R260M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,39 €
-
671Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R260M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
671Prieinamumas
|
|
|
4,39 €
|
|
|
2,92 €
|
|
|
2,07 €
|
|
|
1,81 €
|
|
|
1,69 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,00 €
-
17Prieinamumas
-
1 680Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
17Prieinamumas
1 680Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
17 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
720 Tikėtina 2026-08-27
960 Tikėtina 2026-09-07
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
13,00 €
|
|
|
8,18 €
|
|
|
7,37 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R057M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,28 €
-
55Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R057M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
55Prieinamumas
|
|
|
7,28 €
|
|
|
5,01 €
|
|
|
4,16 €
|
|
|
4,05 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R083M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,16 €
-
25Prieinamumas
-
480Tikėtina 2026-08-27
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R083M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
25Prieinamumas
480Tikėtina 2026-08-27
|
|
|
7,16 €
|
|
|
4,34 €
|
|
|
3,71 €
|
|
|
3,29 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,46 €
-
83Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-08-19
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
83Prieinamumas
240Tikėtina 2026-08-19
|
|
|
9,46 €
|
|
|
5,95 €
|
|
|
5,29 €
|
|
|
4,82 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R057M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,28 €
-
132Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R057M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
132Prieinamumas
|
|
|
8,28 €
|
|
|
5,04 €
|
|
|
4,95 €
|
|
|
4,12 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R057M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,09 €
-
1 995Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R057M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 995Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
995 Tikėtina 2026-08-27
1 000 Tikėtina 2026-09-10
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
8,09 €
|
|
|
5,54 €
|
|
|
4,09 €
|
|
|
3,83 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R163M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,07 €
-
1 000Tikėtina 2026-09-24
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R163M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 000Tikėtina 2026-09-24
|
|
|
5,07 €
|
|
|
3,39 €
|
|
|
2,45 €
|
|
|
2,23 €
|
|
|
2,06 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R039M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,05 €
-
2 160Tikėtina 2026-08-20
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R039M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
2 160Tikėtina 2026-08-20
|
|
|
10,05 €
|
|
|
5,99 €
|
|
|
5,79 €
|
|
|
5,25 €
|
|
|
5,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Lietuva
