Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Rezultatai: 30
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Prekinis pavadinimas
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL 351Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L 798Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT 1 428Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in TO220 850Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L 611Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 2 674Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 2 518Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TO220 1 226Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLT 1 696Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 3 773Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 4 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in TO220 856Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 1 685Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 4 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1 200
Daugkart.: 1 200

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLL Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000
Reel: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLL Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000
Reel: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
Reel: 5 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
Reel: 5 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
Reel: 5 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.2 A 180 mOhms 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement SuperGaN