{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 45

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Tranzistoriaus poliškumas

Kanalų skaičius

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Minimali darbinė temperatūra

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Kanalas Mode

Prekinis pavadinimas

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Dalies Nr.

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R018CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 17,09 €
188Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMY120R018CM2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMY120R018CM2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

188Prieinamumas

17,09 €

13,01 €

10,84 €

9,39 €

8,22 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

73 nC

- 40 C

+ 175 C

356 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036AM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 12,26 €
235Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMY120R036AM2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMY120R036AM2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

235Prieinamumas

12,26 €

9,33 €

7,77 €

6,93 €

6,48 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

171 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 11,12 €
182Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMY120R036CM2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMY120R036CM2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

182Prieinamumas

11,12 €

8,28 €

6,91 €

6,04 €

Peržiūrėti

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 38,96 €
5Prieinamumas
240Tikėtina 2027-05-07
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZC120R007M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R007M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

5Prieinamumas

240Tikėtina 2027-05-07

38,96 €

33,23 €

27,42 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U07

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 42,19 €
588Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMSQ120R012M2HHXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMSQ120R012M2HHX

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

588Prieinamumas

Pjaunama Juosta

42,19 €

35,99 €

29,70 €

Ritė

29,70 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 14,83 €
1 595Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZC120R022M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R022M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 595Prieinamumas

14,83 €

9,14 €

Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 50

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 13,78 €
1 832Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R026M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R026M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 832Prieinamumas

Pjaunama Juosta

13,78 €

10,49 €

8,74 €

7,79 €

Ritė

7,28 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 10,62 €
255Prieinamumas
750Tikėtina 2026-08-13
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R040M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R040M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

255Prieinamumas

750Tikėtina 2026-08-13

Pjaunama Juosta

10,62 €

7,68 €

6,40 €

5,70 €

Ritė

5,33 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

104 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

42.4 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 8,45 €
345Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R053M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R053M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

345Prieinamumas

Pjaunama Juosta

8,45 €

5,66 €

4,25 €

3,94 €

Ritė

3,90 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 7,95 €
856Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R078M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R078M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

856Prieinamumas

Pjaunama Juosta

7,95 €

5,59 €

4,52 €

4,02 €

Ritė

3,56 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 21,62 €
692Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMSQ120R026M2HHXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMSQ120R026M2HHX

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

692Prieinamumas

Pjaunama Juosta

21,62 €

15,40 €

13,70 €

12,95 €

Ritė

12,95 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 18,27 €
670Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMSQ120R040M2HHXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMSQ120R040M2HHX

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

670Prieinamumas

Pjaunama Juosta

18,27 €

13,64 €

11,80 €

11,17 €

Ritė

10,44 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R053M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 15,90 €
283Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMSQ120R053M2HHXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMSQ120R053M2HHX

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

283Prieinamumas

Pjaunama Juosta

15,90 €

12,12 €

10,10 €

9,00 €

Ritė

8,41 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 24,82 €
125Prieinamumas
240Tikėtina 2026-08-13
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA120R012M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R012M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

125Prieinamumas

240Tikėtina 2026-08-13

24,82 €

17,10 €

Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 10

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 19,75 €
147Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA120R017M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R017M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

147Prieinamumas

19,75 €

14,74 €

Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 30

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 16,42 €
341Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA120R022M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R022M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

341Prieinamumas

16,42 €

10,68 €

Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 20

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 10,88 €
372Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA120R040M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R040M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

372Prieinamumas

10,88 €

7,16 €

6,23 €

5,32 €

5,29 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

51 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 22,90 €
690Prieinamumas
240Tikėtina 2026-10-15
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZC120R012M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R012M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

690Prieinamumas

240Tikėtina 2026-10-15

22,90 €

14,88 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 14,69 €
471Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZC120R026M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R026M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

471Prieinamumas

14,69 €

9,51 €

Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 10,78 €
1 026Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZC120R034M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R034M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 026Prieinamumas

10,78 €

6,48 €

Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 70

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 8,74 €
754Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZC120R053M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R053M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

754Prieinamumas

8,74 €

5,15 €

4,36 €

4,35 €

4,28 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 31,02 €
1 073Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-10-15

Gam. dalies Nr.
IMBG120R008M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 073Prieinamumas

1 000Tikėtina 2026-10-15

Pjaunama Juosta

31,02 €

23,29 €

Ritė

23,29 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 10

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 17,90 €
3 295Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMBG120R017M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG120R017M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

3 295Prieinamumas

Pjaunama Juosta

17,90 €

12,92 €

10,65 €

10,47 €

Ritė

8,95 €

Pasiūlymas

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R007M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 38,33 €
6Prieinamumas
1 500Tikėtina 2026-07-23
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R007M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R007M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

6Prieinamumas

1 500Tikėtina 2026-07-23

Pjaunama Juosta

38,33 €

32,70 €

26,98 €

Ritė

26,98 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

1.2 kV

257 A

7.5 mOhms

4.2 V

+ 175 C

- 55 C

1.172 kW

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 14,56 €
172Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA120R026M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R026M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

172Prieinamumas

14,56 €

11,09 €

9,25 €

Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 120

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

34 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
44 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A

7.5 mOhms
7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
171 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
356 W
382 W