{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 45

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Kanalų skaičius

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Minimali darbinė temperatūra

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Kanalas Mode

Prekinis pavadinimas

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Prekinis pavadinimas
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode IMY120R018CM2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 15,65 € 188Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMY120R018CM2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMY120R018CM2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	188Prieinamumas	15,65 € 9,15 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	PG-TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	80 A	23 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	73 nC	- 40 C	+ 175 C	356 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode IMY120R036AM2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 11,26 € 215Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMY120R036AM2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMY120R036AM2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	215Prieinamumas	11,26 € 6,24 € 5,97 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	PG-TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	44 A	45 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	37 nC	- 40 C	+ 175 C	171 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode IMY120R036CM2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 11,04 € 172Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMY120R036CM2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMY120R036CM2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	172Prieinamumas	11,04 € 6,11 € 5,82 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	PG-TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	44 A	45 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	37 nC	- 40 C	+ 175 C	250 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology IMZC120R007M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 35,64 € 5Prieinamumas 960Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZC120R007M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R007M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	5Prieinamumas 960Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZC120R007M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 5 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 240 Tikėtina 2026-10-15 720 Tikėtina 2027-06-24 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 53 Savaičių	35,64 € 26,50 € 25,28 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	PG-TO247-4-U07	1 Channel	1.2 kV	201 A	20 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	176 nC	- 55 C	+ 175 C	711 W		CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling IMCQ120R007M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 36,43 € 1 616Prieinamumas 3 750Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMCQ120R007M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMCQ120R007M2HXT Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 616Prieinamumas 3 750Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMCQ120R007M2HXTMA1 Turime sandėlyje: 1 616 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 1 500 Tikėtina 2026-10-08 2 250 TBD Gamintojo numatytas pristatymo laikas 60 Savaičių	Pjaunama Juosta 36,43 € 29,73 € 26,26 € 24,87 € Ritė 24,87 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22		1.2 kV	257 A	7.5 mOhms		4.2 V		+ 175 C	- 55 C	1.172 kW		CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling IMCQ120R017M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 17,53 € 1 453Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMCQ120R017M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMCQ120R017M2HXT Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 453Prieinamumas	Pjaunama Juosta 17,53 € 11,21 € 10,58 € 10,01 € Ritė 10,01 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750														CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology IMSQ120R012M2HHXUMA1 Infineon Technologies 1: 37,25 € 556Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMSQ120R012M2HHXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMSQ120R012M2HHX Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	556Prieinamumas	Pjaunama Juosta 37,25 € 28,91 € 27,37 € Ritė 27,37 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750				1.2 kV
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling IMCQ120R010M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 27,93 € 273Prieinamumas 3 000Tikėtina 2026-11-19 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMCQ120R010M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMCQ120R010M2HXT Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	273Prieinamumas 3 000Tikėtina 2026-11-19	Pjaunama Juosta 27,93 € 21,97 € 19,34 € 17,58 € Ritė 17,10 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750														CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 12,32 € 1 740Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMCQ120R026M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMCQ120R026M2HXT Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 740Prieinamumas	Pjaunama Juosta 12,32 € 7,09 € 6,95 € Ritė 6,71 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	82 A	67 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	63.4 nC	- 55 C	+ 175 C	405 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 10,35 € 742Prieinamumas 750Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMCQ120R034M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMCQ120R034M2HXT Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	742Prieinamumas 750Pagal užsakymą	Pjaunama Juosta 10,35 € 6,88 € 6,24 € 5,41 € Ritė 5,26 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	64 A	89 mOhms	- 10 V, + 25 C	5.1 V	48.7 nC	- 55 C	+ 175 C	326 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 9,69 € 941Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMCQ120R040M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMCQ120R040M2HXT Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	941Prieinamumas	Pjaunama Juosta 9,69 € 5,41 € 5,19 € 4,91 € Ritė 4,91 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	56 A	104 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	42.4 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 7,38 € 2 299Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMCQ120R078M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMCQ120R078M2HXT Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	2 299Prieinamumas	Pjaunama Juosta 7,38 € 4,10 € 3,77 € 3,47 € Ritė 3,28 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	31 A	205 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	23.2 nC	- 55 C	+ 175 C	176 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology IMSQ120R026M2HHXUMA1 Infineon Technologies 1: 20,54 € 692Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMSQ120R026M2HHXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMSQ120R026M2HHX Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	692Prieinamumas	Pjaunama Juosta 20,54 € 13,68 € 12,95 € Ritė 12,95 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750				1.2 kV
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology IMSQ120R040M2HHXUMA1 Infineon Technologies 1: 16,27 € 470Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMSQ120R040M2HHXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMSQ120R040M2HHX Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	470Prieinamumas	Pjaunama Juosta 16,27 € 10,17 € 9,61 € Ritė 9,61 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750				1.2 kV
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R022M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 14,83 € 277Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZA120R022M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA120R022M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	277Prieinamumas	14,83 € 8,53 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV	80 A	29 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	329 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R053M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,12 € 1 440Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZA120R053M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA120R053M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 440Prieinamumas	9,12 € 5,01 € 4,63 € 4,52 € 4,28 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV	38 A	69 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	182 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 IMZC120R017M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 17,96 € 161Prieinamumas 720Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZC120R017M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R017M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	161Prieinamumas 720Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZC120R017M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 161 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 240 Tikėtina 2026-10-22 480 TBD Gamintojo numatytas pristatymo laikas 60 Savaičių	17,96 € 12,97 € 11,27 € 10,76 € Pasiūlymas Pasiūlymas	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	97 A	17 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	382 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 IMZC120R022M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 15,94 € 1 335Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZC120R022M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R022M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 335Prieinamumas	15,94 € 10,97 € 9,48 € 8,83 € 8,42 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	80 A	22 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	329 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 IMZC120R034M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 10,78 € 683Prieinamumas 240Tikėtina 2026-10-19 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZC120R034M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R034M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	683Prieinamumas 240Tikėtina 2026-10-19	10,78 € 5,96 € 5,64 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	55 A		- 10 V, + 25 V	5.1 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	244 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 IMZC120R053M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,74 € 632Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZC120R053M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R053M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	632Prieinamumas	8,74 € 4,72 € 4,36 € 4,35 € 4,28 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	38 A	53 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	182 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 31,31 € 740Prieinamumas 2 000Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMBG120R008M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R008M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Duomenų Lapas	740Prieinamumas 2 000Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMBG120R008M2HXTMA1 Turime sandėlyje: 740 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 1 000 Laukiama 1 000 Tikėtina 2026-10-15 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 60 Savaičių	Pjaunama Juosta 31,31 € 23,29 € 23,28 € 22,23 € Ritė 22,06 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	189 A	7.7 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	195 nC	- 55 C	+ 175 C	800 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,14 € 316Prieinamumas 750Tikėtina 2026-11-05 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMCQ120R053M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMCQ120R053M2HXT Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	316Prieinamumas 750Tikėtina 2026-11-05	Pjaunama Juosta 8,14 € 4,46 € 4,13 € 3,90 € Ritė 3,90 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	43 A	138 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	32.8 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R017M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 17,29 € 24Prieinamumas 480Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZA120R017M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA120R017M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	24Prieinamumas 480Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZA120R017M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 24 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 240 Tikėtina 2026-10-29 240 Tikėtina 2026-11-12 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 60 Savaičių	17,29 € 10,26 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV	97 A	23 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	382 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R026M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,85 € 132Prieinamumas 240Tikėtina 2026-10-29 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZA120R026M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA120R026M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	132Prieinamumas 240Tikėtina 2026-10-29	12,85 € 7,23 € 7,10 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV	69 A	34 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	289 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R034M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 10,78 € 78Prieinamumas 240Tikėtina 2026-10-29 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZA120R034M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA120R034M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	78Prieinamumas 240Tikėtina 2026-10-29	10,78 € 5,96 € 5,64 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV	55 A	45 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	244 W	Enhancement	CoolSiC