{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 42

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Tranzistoriaus poliškumas

Kanalų skaičius

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Minimali darbinė temperatūra

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Kanalas Mode

Prekinis pavadinimas

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Dalies Nr.

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 32,30 €
187Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZC120R007M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R007M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

187Prieinamumas

32,30 €

28,06 €

24,30 €

23,15 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U07

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 22,42 €
833Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R010M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R010M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

833Prieinamumas

Pjaunama Juosta

22,42 €

16,67 €

16,57 €

15,56 €

Ritė

15,56 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 750

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 32,05 €
578Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMSQ120R012M2HHXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMSQ120R012M2HHX

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

578Prieinamumas

Pjaunama Juosta

32,05 €

26,09 €

25,95 €

24,36 €

Ritė

24,36 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R004M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 48,27 €
298Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R004M2HXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R004M2HXU

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

298Prieinamumas

Pjaunama Juosta

48,27 €

43,26 €

41,40 €

40,39 €

Ritė

40,39 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

403 A

10.4 mOhms

- 10 V, 25 V

5.1 V

348 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 kW

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R007M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 29,78 €
492Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R007M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R007M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

492Prieinamumas

Pjaunama Juosta

29,78 €

23,80 €

23,67 €

22,22 €

Ritė

22,22 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 750

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 14,79 €
492Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R017M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R017M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

492Prieinamumas

Pjaunama Juosta

14,79 €

10,50 €

9,80 €

9,15 €

Ritė

9,15 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 750

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 10,84 €
1 974Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R026M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R026M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 974Prieinamumas

Pjaunama Juosta

10,84 €

7,57 €

6,56 €

6,43 €

Ritė

6,13 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R034M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 8,93 €
649Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R034M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R034M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

649Prieinamumas

Pjaunama Juosta

8,93 €

6,22 €

5,15 €

4,81 €

Ritė

4,81 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

64 A

89 mOhms

- 10 V, + 25 C

5.1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 8,53 €
452Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R040M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R040M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

452Prieinamumas

Pjaunama Juosta

8,53 €

5,88 €

4,81 €

4,49 €

Ritė

4,49 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

104 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

42.4 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 7,40 €
399Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R053M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R053M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

399Prieinamumas

Pjaunama Juosta

7,40 €

5,07 €

3,99 €

3,72 €

Ritė

3,72 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 6,30 €
570Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R078M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R078M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

570Prieinamumas

Pjaunama Juosta

6,30 €

4,27 €

3,21 €

3,00 €

Ritė

3,00 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 17,97 €
666Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMSQ120R026M2HHXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMSQ120R026M2HHX

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

666Prieinamumas

Pjaunama Juosta

17,97 €

12,91 €

12,59 €

11,76 €

Ritė

11,76 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 13,91 €
682Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMSQ120R040M2HHXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMSQ120R040M2HHX

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

682Prieinamumas

Pjaunama Juosta

13,91 €

9,85 €

9,06 €

8,46 €

Ritė

8,46 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R053M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 11,95 €
404Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMSQ120R053M2HHXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMSQ120R053M2HHX

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

404Prieinamumas

Pjaunama Juosta

11,95 €

8,38 €

7,44 €

6,95 €

Ritė

6,95 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 19,43 €
150Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA120R012M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R012M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

150Prieinamumas

19,43 €

13,48 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 14,78 €
190Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA120R017M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R017M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

190Prieinamumas

14,78 €

9,51 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 11,02 €
230Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA120R026M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R026M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

230Prieinamumas

11,02 €

6,67 €

6,50 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

34 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 12,73 €
150Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA120R022M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R022M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

150Prieinamumas

12,73 €

7,84 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 9,25 €
188Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA120R034M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R034M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

188Prieinamumas

9,25 €

5,53 €

5,19 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 8,79 €
156Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA120R040M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R040M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

156Prieinamumas

8,79 €

5,23 €

4,85 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

51 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 7,71 €
232Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA120R053M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R053M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

232Prieinamumas

7,71 €

4,54 €

4,09 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

69 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 6,66 €
198Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA120R078M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R078M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

198Prieinamumas

6,66 €

3,87 €

3,36 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

103 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 19,43 €
664Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZC120R012M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R012M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

664Prieinamumas

19,43 €

13,48 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 14,78 €
706Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZC120R017M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R017M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

706Prieinamumas

14,78 €

9,51 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 11,02 €
673Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZC120R026M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R026M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

673Prieinamumas

11,02 €

6,67 €

6,50 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A
97 A

7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
51 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
89 nC
124 nC
176 nC
195 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
382 W
385 W
405 W