π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low RDS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.

Rezultatai: 11
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Toshiba MOSFETs PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
Duomenų Lapas
2 875Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3P N-Channel 1 Channel 900 V 9 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ
Duomenų Lapas
3 153Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 4.9 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
Duomenų Lapas
161Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 700 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
Duomenų Lapas
250Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 2.5 A 4.6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFETs PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
Duomenų Lapas
60Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFETs PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS
Duomenų Lapas
196Prieinamumas
150Tikėtina 2026-07-01
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 9 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 700 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFETs TO252 900V 2A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
4 000Tikėtina 2026-08-17
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 2 A 5.9 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
Duomenų Lapas
280Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 3.5 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFETs PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
Duomenų Lapas
159Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFETs PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS
Duomenų Lapas
180Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVIII Tube