Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Matote Klaidą?

TK9J90E,S1E

Name: Toshiba TK9J90E,S1E
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK9J90ES1E
Price: 3.37 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

757-TK9J90ES1E

Mfr. #:

TK9J90E,S1E

Gam.:

Toshiba

Aprašymas:

MOSFETs PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN

Duomenų Lapas:

TK9J90E,S1E Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Toshiba TK9J90E,S1E

Prieinamumas: 3 224

Turime sandėlyje:: 3 224 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	3,37 €	3,37 €
	1,94 €	19,40 €
	1,58 €	158,00 €
	1,29 €	645,00 €
	1,25 €	1 250,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Toshiba
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-3P
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	900 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	9 A
RDS On - Drain-Source Varža:	1.3 Ohms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 30 V, 30 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.5 V
Qg – vartų krūvis:	46 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	250 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	MOSVIII
Pakavimas:	Tray
Prekės Ženklas:	Toshiba
Configuration:	Single
Rudens laikas:	35 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	40 ns
Serija:	TK9J90E
Gamyklinės pakuotės kiekis:	25
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	140 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	80 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	1,600 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

TK9J90E,S1E Duomenų Lapas (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low R_DS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.