Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Matote Klaidą?

TK3A90E,S4X

Name: Toshiba TK3A90E,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK3A90ES4X
Price: 1.73 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

757-TK3A90ES4X

Mfr. #:

TK3A90E,S4X

Gam.:

Toshiba

Aprašymas:

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

Duomenų Lapas:

TK3A90E,S4X Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Toshiba TK3A90E,S4X

Prieinamumas: 40

Turime sandėlyje:: 40 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	1,73 €	1,73 €
	0,835 €	8,35 €
	0,744 €	74,40 €
	0,594 €	297,00 €
	0,542 €	542,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Toshiba
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-220-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	900 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	2.5 A
RDS On - Drain-Source Varža:	4.6 Ohms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 30 V, 30 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.5 V
Qg – vartų krūvis:	15 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	35 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	MOSVIII
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	Toshiba
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	CN
Rudens laikas:	15 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	25 ns
Serija:	TK3A90E
Gamyklinės pakuotės kiekis:	50
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	75 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	55 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	2 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

TK3A90E,S4X Duomenų Lapas (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low R_DS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.