Rezultatai: 53
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Duomenų Lapas
144Prieinamumas
240Tikėtina 2026-06-01
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
720Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 144 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
1 127Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 115 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
1 295Prieinamumas
1 800Tikėtina 2026-10-08
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
1 756Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
1 267Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
1 771Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
1 763Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
590Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
890Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 103 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
303Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
146Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
246Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
311Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
7Prieinamumas
960Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
251Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-10-29
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
480Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Duomenų Lapas
11Prieinamumas
720Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Duomenų Lapas
33Prieinamumas
240Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
1 450Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 196 A 8.5 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 179 nC - 55 C + 175 C 937 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
4 000Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 131 A 18 mOhms - 7 V to 23 V 4.5 V 148 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
2 000Tikėtina 2026-06-01
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
3 972Tikėtina 2027-01-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 58.7 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 277 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
15 600Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC